عملية تخميل الزجاج الجدول 600V BT152-600R TO-220 SCR

عملية تخميل الزجاج الجدول 600V BT152-600R TO-220 SCR

$0.154000-19999 Piece/Pieces

$0.13≥20000Piece/Pieces

الدفع نوع:	L/C,T/T,Paypal
إنكوترم:	FOB,CFR,CIF
نقل:	Ocean,Land,Express,Others
ميناء:	SHANGHAI

Option:

IT (RMS)：20A
IT(AV):13A
IGM:4A
VDRM ：600V
VRRM：600V
PGM:5W
ITSM:200A

الآن الاتصال

وصف المنتج

سمات المنتج

التعبئة والتغليف والت...

وصف المنتج

Other information

سمات المنتج

نموذج: YZPST-BT152-600R-2326

علامة تجارية: YZPST

Place Of Origin: China

IT (RMS): 20A

VRRM: 600V

IT(AV): 13A

ITSM: 200A

IGM: 4A

PGM: 5W

PG(AV): 1W

Tstg: -40--+150℃

Tj: -40--+125℃

التعبئة والتغليف والت...

بيع الوحدات	:	Piece/Pieces
نوع الحزمة	:	1. التغليف المضاد للإلكتروستاتيكي 2. صندوق الكرتون 3. جديلة
تحميل	:

SCR BT152-600R TO220



وصف المنتج

BT152-600R/800R

YZPST-BT152-600R

● ميزات المنتج
الجهاز أحادي الجانب NPNP هيكل طبقة أربع ،
P+ على العزلة من خلال الانتشار ،
هيكل mesa واحد (MESA واحد) ،
عملية تخميل زجاج المائدة ،
المعدن القطب الخلفي (الأنود): ti-ni-ag
القدرة العالية لمقاومة الصدمة الحالية
● الأغراض الرئيسية
التبديل الحالي المتناوب ،
محول الطاقة AC DC ،
السيطرة على التدفئة الكهربائية
التحكم في سرعة المحرك
● الحزمة
TO-220M1 TO-220F

YZPST-BT152-600R（4）

الميزة الرئيسية (TJ = 25 ℃)

Symbol	Value	Unit
IT (RMS)	20	A
VDRM VRRM	600/800	V
IGT	≤200	uA

التصنيفات المطلقة (الحد من القيم)

Symbol	Parameter	Value	Unit
IT (RMS)	RMS on-state current (180 °conduction angle)	20	A
IT(AV)	AV on-state current (180 °conduction angle)	13	A
ITSM	Non repetitive surge peak on-state	200	A
ITSM	Current (tp=10ms)	200	A
IGM	Peak gate current(tp=20us)	4	A
PGM	Peak gate power	5	W
PG(AV)	Average gate power	1	W
Tstg	Storage temperature	110	℃
Tj	Operating junction temperature	85	℃

المقاومة الحرارية

Symbol	Parameter		Value	Unit
		TO-220M1	2.2
Rth (j-c)	Junction to case	TO-220F	2.5	℃/W

الخصائص الكهربائية (TJ = 25 ℃ ما لم ينص على خلاف ذلك)

Symbol	Test Conditions		Value			Unit
Symbol	Test Conditions		Min	Type	Max	Unit
IGT	VD=12V, RL=33Ω		----	5	25	mA
VGT	VD=12V, RL=33Ω		-----	-----	1.3	V
VGD	VD=VDRM, RL=3.3KΩ, RGK=1KΩ,Tj=125℃		0.2	-----	-----	V
IH	IT=500mA		-----	-----	30	mA
IL	IG=1.2IGT		-----	-----	60	mA
dV/dt	VD=67%VDRM, GateOpen, Tj=110℃		500			v/ μs
dV/dt	VD=67%VDRM, GateOpen, Tj=110℃		500	-----	-----	v/ μs
VTM	IT=30A,tp=380 μs		-----	-----	1.6	V
dI/dt	IG=2IGT		50	-----	-----	A/μs
I2T	Tp=10ms		-----	-----	200	A2S
		Tj=25℃	-----	-----	10	μA
IDRM	VD=VDRM	Tj=125℃	-----	-----	1	mA
		Tj=25℃	-----	-----	10	μA
IRRM	VR=VRRM	Tj=125℃	-----	-----	1	mA