سعر الوحدة: | USD 0.09 - 0.135 / Piece/Pieces |
---|---|
الدفع نوع: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
أدني كمية الطلب: | 100 Piece/Pieces |
موعد التسليم: | 30 أيام |
نموذج: YZPST-BT151
تفاصيل التعبئة والتغليف: لمزيد من المعلومات التفصيلية عن المنتج ومعلومات المعاملات ، يرجى الاتصال بعنوان بريدنا الإلكتروني: info@yzpst.com
إنتاجية: 10000
علامة تجارية: YZPST
نقل: Ocean,Air
مكان المنشأ: الصين
تفاصيل التجارة القدرة علي التوريد: 10000
الشهادات: ISO9001-2008,ROHS
رمز النظام المنسق: 85413000
ميناء: Shanghai
SCRS
YZPST-BT151
YZPST-BT151 مقوم السيليكون المتحكم فيه SCR 7.5A
● الميزة الرئيسية (Tjj = 2255 ℃)
Symbol |
Value |
Unit |
IT(AV) |
7.5 |
A |
VDRM / VRRM |
≥ 600 |
V |
IGT |
1 to 20 |
mA |
● التصنيفات المطلقة (القيم المحددة)
Symbol |
Parameter |
Value |
Unit |
IT(RMS) |
RMS on-state current (180°conduction angle) |
12 |
A |
IT(AV) |
AV on-state current (180°conduction angle) |
7.5 |
A |
ITSM |
Non repetitive surge peak on-state Current (tp=10ms) |
100 |
A |
I2t |
(tp=10ms) |
50 |
A2S |
IGM |
Peak gate current(tp=20us) |
2 |
A |
PGM |
Peak gate power |
5 |
W |
PG(AV) |
Average gate power |
0.5 |
W |
Tstg Tj |
Storage temperature Operating junction temperature |
-40--+150 -40--+125 |
℃ |
● مقاومات Thermai
Symbol |
Parameter |
Value |
Unit |
Rth (j-c) |
Junction to case |
1.3 |
K/W |
Rth (j-a) |
Junction to ambient |
60 |
K/W |
● الخصائص الكهربائية (Tj = 25 ℃ ما لم يذكر خلاف ذلك)
Symbol |
Test Conditions |
Value |
Unit |
|||
Min |
Type |
Max |
||||
IGT |
VD=6V, RL=100Ω |
1 |
5 |
20 |
uA |
|
VGT |
VD=12V, RL=100Ω |
----- |
0.7 |
0.8 |
V |
|
VGD |
VD=VDRM, RL=3.3KΩ Tj=110℃ |
0.2 |
----- |
----- |
V |
|
IH |
IT=100mA Gate Open |
----- |
9 |
20 |
mA |
|
dV/dt |
VD=67%VDRM, GateOpen, Tj=125℃ |
50 |
125 |
----- |
v/μs |
|
VTM |
IT=16A,tp=380μs |
----- |
----- |
1.7 |
V |
|
IDRM IRRM |
VD=VDRM VR=VRRM |
Tj=25℃ |
----- |
----- |
20 |
uA |
Tj=110℃ |
----- |
----- |
300 |
uA |
● قياس الطرد (TO-220E)
اشترك في النشرة الإلكترونية:
الحصول على التحديثات، خصومات وعروض خاصة وجوائز كبيرة!