أجهزة قرص أشباه الموصلات (نوع كبسولة) ( 151 )حزمة بلاستيك أشباه الموصلات ( 165 )أجهزة وحدة أشباه الموصلات ( 118 )أجهزة أشباه الموصلات أشباه الموصلات ( 82 )أجزاء أشباه الموصلات ( 5 )مكثف للفرن الكهربائي ( 44 )DC مكثف للفرن الكهربائي ( 1 )
مسح لزيارة
| سعر الوحدة: | USD 0.11 / Piece/Pieces |
|---|---|
| الدفع نوع: | L/C,T/T,Paypal |
| Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
| أدني كمية الطلب: | 1000 Piece/Pieces |
| موعد التسليم: | 30 أيام |
نموذج: YZPST-X0405
تفاصيل التعبئة والتغليف: 1. تغليف مضاد للكهرباء الإستاتيكية 2. علبة كرتون 3. عبوة بلاستيكية واقية
إنتاجية: 1000
علامة تجارية: YZPST
نقل: Ocean,Air
مكان المنشأ: الصين
تفاصيل التجارة القدرة علي التوريد: 10000
الشهادات: ISO9001-2008,ROHS
رمز النظام المنسق: 85413000
ميناء: Shanghai
مقوم متحكم فيه من السيليكون (SCR)
(يزبست -0405)
وصف:
بفضل مستويات التحفيز شديدة الحساسية
سلسلة X0405 SCR مناسبة لجميع التطبيقات
حيث يكون تيار البوابة المتاح محدودًا ، مثل
قواطع دائرة خطأ الأرض ، الجهد الزائد
حماية المخل في إمدادات الطاقة المنخفضة ،
دوائر الإشعال بالسعة ، ...
الخصائص الرئيسية
|
Symbol |
Value |
Unit |
|
IT(RMS) |
4.0 |
A |
|
VDRM VRRM |
600 |
V |
|
IGT |
200 |
µA |
|
Parameter |
Symbol |
Value |
Unit |
|
Storage junctiontemperature range |
Tstg |
-40 ~150 |
℃ |
|
Operating junction temperature range |
Tj |
-40~125 |
℃ |
|
Repetitive peak off-state voltage (T =25℃) |
VDRM |
600 |
V |
|
Repetitive peak reverse voltage (T =25℃) |
VRRM |
600 |
V |
|
Non repetitive surge peak Off-state voltage |
VDSM |
VDRM +100 |
V |
|
Non repetitive peak reverse voltage |
VRSM |
VRRM +100 |
V |
|
RMS on-state current (T =60℃) |
IT(RMS) |
4.0 |
A |
|
Non repetitive surge peak on-state current (180° conduction angle, F=50Hz) |
ITSM |
30 |
A |
|
Average on-state current (180° conduction angle) |
IT(AV) |
2.5 |
A |
|
I2t value for fusing (tp=10ms) |
I2t |
4.5 |
A2S |
|
Critical rate of rise of on-state current (I =2×IGT, tr ≤ 100 ns) |
dI/dt |
50 |
A/μS |
|
Peak gate current |
IGM |
1.2 |
A |
|
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
0.2 |
W |
الخصائص الكهربائية (T = 25 ℃ ما لم يذكر خلاف ذلك)
|
Symbol |
Test Condition |
|
Value |
Unit |
|
IGT |
V =12V R =140Ω |
MAX. |
200 |
µA |
|
VGT |
MAX. |
0.8 |
V |
|
|
VGD |
VD=VDRM Tj=125℃ R=1KΩ |
MIN. |
0.1 |
V |
|
IL |
IG=1.2IGT |
MAX. |
6 |
mA |
|
IH |
IT=50mA |
MAX. |
5 |
mA |
|
dV/dt |
VD=2/3VDRM Gate Open Tj=125℃ |
MIN. |
15 |
V/μs |
الخصائص الإحصائية
|
Symbol |
Parameter |
Value(MAX.) |
Unit |
|
|
VTM |
ITM =8.0A tp=380μs |
Tj =25℃ |
1.8 |
V |
|
IDRM |
VD=VDRM VR=VRRM
|
Tj =25℃ |
5 |
μA |
|
IRRM |
Tj =125℃ |
1 |
mA |
|
المقاومة الحرارية
|
Symbol |
Parameter |
Value(MAX.) |
Unit |
|
Rth(j-a) |
junction to ambient |
60 |
℃/W |
|
Rth(j-t) |
Junction to tab (DC) |
20 |
مخطط معلومات الطلب
اشترك في النشرة الإلكترونية:
الحصول على التحديثات، خصومات وعروض خاصة وجوائز كبيرة!
( 
