القدرة العالية 25A BTB24-1200WRG TO-263 1200V TRIAC
$0.22000-19999 Piece/Pieces
$0.16≥20000Piece/Pieces
الدفع نوع: | L/C,T/T,Paypal |
إنكوترم: | FOB,CFR,CIF |
نقل: | Ocean,Land,Express,Others |
ميناء: | SHANGHAI |
$0.22000-19999 Piece/Pieces
$0.16≥20000Piece/Pieces
الدفع نوع: | L/C,T/T,Paypal |
إنكوترم: | FOB,CFR,CIF |
نقل: | Ocean,Land,Express,Others |
ميناء: | SHANGHAI |
نموذج: YZPST-BTB24-1200WRG
علامة تجارية: YZPST
مكان المنشأ: الصين
IT(RMS): 25A
VDRM: 1200V
VRRM: 1200V
VTM: ≤1.5A
Tstg: -40~150℃
Tj: -40~125℃
ITSM: 250A
I2t: 340A2s
بيع الوحدات | : | Piece/Pieces |
نوع الحزمة | : | 1. التغليف المضاد للإلكتروستاتيكي 2. صندوق الكرتون 3. جديلة |
تحميل | : |
BTA24/BTB24 Series 25A Triacs
YZPST-BTB24-1200WRG
وصف:مع عروض تخفيف عالية ، 3 منتجات رباعية موصى بها خاصة للاستخدام في الحمل الاستقرائي. من جميع المحطات الثلاثة إلى غرفة تبريد الحرارة الخارجية ، يوفر BTA24 جهد عزل مصنّف من 2500 VRMS يتوافق مع معايير UL
رئيسي سمات:
symbol |
value |
unit |
IT(RMS) |
25 |
A |
VDRM/VRRM |
600/800/1200/1600 |
V |
VTM |
≤1.5 |
V |
مطلق أقصى التقييمات:
Parameter |
Symbol |
Value |
Unit |
Storage junction temperature range |
Tstg |
-40~150 |
℃ |
Operating junction temperature range |
Tj |
-40~125 |
℃ |
Repetitive peak off-state voltage (Tj=25℃) |
VDRM |
600/800/1200/1600 |
V |
Repetitive peak reverse voltage (Tj=25℃) |
VRRM |
600/800/1200/1600 |
V |
RMS on-state current |
IT(RMS) |
25 |
A |
Non repetitive surge peak on-state current (full cycle, F=50Hz) |
ITSM |
250 |
A |
I2t value for fusing (tp=10ms) |
I2t |
340 |
A2s |
Critical rate of rise of on-state current(IG=2 × IGT) |
dI/dt |
50 |
A/ μs |
Peak gate current |
IGM |
4 |
A |
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
1 |
W |
Peak gate power |
PGM |
10 |
W |
الخصائص الكهربائية (TJ = 25 ℃ ما لم ينص على خلاف ذلك)
3 أرباع :
Parameter | Value | |||||
Test Condition | Quadrant | CW | BW | Unit | ||
IGT | VD=12V, | 35 | 50 | mA | ||
VGT | RL=33Ω | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | MAX | 1.3 | V | |
VGD | VD=VDRM | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | MIN | 0.2 | V | |
IH | IT=100mA | MAX | 60 | 80 | mA | |
Ⅰ-Ⅲ | 70 | 90 | ||||
IL | IG=1.2IGT | Ⅱ | MAX | 80 | 100 | mA |
VD=2/3VDRM Tj=125℃ Gate open | ||||||
dV/dt | MIN | 1000 | 1500 | V/ µs |
4 أرباع :
Parameter | Value | |||||
Test Condition | Quadrant | C | B | Unit | ||
Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | 25 | 50 | mA | |||
IGT | VD=12V, | Ⅳ | 50 | 70 | mA | |
VGT | RL=33Ω | ALL | MAX | 1.5 | V | |
VGD | VD=VDRM | ALL | MIN | 0.2 | V | |
IH | IT=100mA | MAX | 60 | 75 | mA | |
Ⅰ-Ⅲ- Ⅳ | 70 | 80 | ||||
IL | IG=1.2IGT | Ⅱ | MAX | 90 | 100 | mA |
VD=2/3VDRM Tj=125℃ Gate open | ||||||
dV/dt | MIN | 200 | 500 | V/ µs |
حراري المقاومة
Symbol | Test Condition | Value | Unit | |
TO-220A(Ins) | 1.5 | |||
TO-220F(Ins) | 1.6 | |||
TO-263 | 2.1 | ℃/W | ||
Rth(j-c) | junction to case(AC) | TO-3P | 0.68 |
طَرد ميكانيكي بيانات
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.