توفير الطاقة NPN السيليكون الترانزستورات 220V

حصة ل:

أضف إلى سلة المشتريات

سعر الوحدة:

USD 0.1 / Bag/Bags

الدفع نوع:

L/C,T/T,Paypal

Incoterm:

FOB,CFR,CIF

أدني كمية الطلب:

1000 Bag/Bags

موعد التسليم:

30 أيام

الآن الاتصال

معلومات أساسية

نموذج: YZPST-13003DL-1

علامة تجارية: YZPST

تفاصيل التعبئة والتغليف: 1. التعبئة والتغليف المضادة للكهرباء الساكنة 2. علبة كرتون 3. التعبئة والتغليف البلاستيكية واقية

إنتاجية: 1000

نقل: Ocean,Air

مكان المنشأ: الصين

تفاصيل التجارة القدرة علي التوريد: 10000

الشهادات: ISO9001-2008,ROHS

رمز النظام المنسق: 85413000

ميناء: SHANGHAI

الدفع نوع: L/C,T/T,Paypal

Incoterm: FOB,CFR,CIF

موعد التسليم: 30 أيام

NPN SILICON TRANSISTOR

YZPST-13003DL

المصباح الموفر للطاقة

يمكن حزم الترانزستورات بشكل مستقل أو في منطقة صغيرة جدًا ويمكن أن تكون جزءًا من دوائر متكاملة ترانزستور 100 مليون أو أكثر. المصباح الموفر للطاقة

Maximum أقصى تقدير مطلق (Tc = 25 ℃)

الخصائص الإلكترونية (Tc = 25 ℃)

CHARACTERISTICS	SYMBOL	TEST CONDITION	MIN	MAX	UNIT
Collector-Base Voltage	VCBO	Ic=1mA Ie=0	350		V
Collector-Emitter Voltage	VCEO	Ic=1mA Ib=0	220		V
Emitter-Base Voltage	VEBO	Ie=1mA Ic=0	9		V
Collector-Base Cutoff Current	ICBO	Vcb=350v Ie=0		10	UA
Collector-Emitter Cutoff Current	ICEO	Vce=220v Ib=0		10	UA
Emitter-Base Cutoff Current	IEBO	Veb=9v Ic=0		10	UA
Collector-Emitter Saturation Voltage	Vce(sat)	Ic=0.5A Ib=0.1A		0.9	V
Base-Emitter Saturation Voltage	Vbe(sat)	Ic=0.5A Ib=0.1A		1.5	V
DC Current Gain	Hfe	VCE=5v IC=0.2A	20	25
Diode Forward Voltage	Vf	IF=1.0A		2	V
Storage Time	ts	Ic=0.25A (UI9602)	1.5	2.5	us

صورة المنتج

البريد الإلكتروني لهذا المورد

منتجات أخرى