YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
الصفحة الرئيسية> قائمة المنتجات> حزمة البلاستيك أشباه الموصلات> الترانزستور السيليكون> 85A ولاعة السجائر الإلكترونية Mosfet تحميل 85N03
85A ولاعة السجائر الإلكترونية Mosfet تحميل 85N03
85A ولاعة السجائر الإلكترونية Mosfet تحميل 85N03
85A ولاعة السجائر الإلكترونية Mosfet تحميل 85N03
85A ولاعة السجائر الإلكترونية Mosfet تحميل 85N03

85A ولاعة السجائر الإلكترونية Mosfet تحميل 85N03

$0.299≥1000Piece/Pieces

الدفع نوع:L/C,T/T,Paypal
إنكوترم:FOB,CFR,CIF
أدني كمية الطلب:1000 Piece/Pieces
نقل:Ocean,Air
ميناء:Shanghai
سمات المنتج

نموذجYZPST-85N03

علامة تجاريةYZPST

التعبئة والتغليف والت...
بيع الوحدات : Piece/Pieces
نوع الحزمة : 1. التعبئة والتغليف المضادة للكهرباء الساكنة 2. علبة كرتون 3. التعبئة والتغليف البلاستيكية واقية
وصف المنتج

ولاعة السجائر الالكترونية Mosfet

YZPST-85N03

85A ولاعة السجائر الإلكترونية MOSFET تحميل تبديل MOSFET 85N03

VDSS30V

RDS(ON) 2.3mΩ(max.)@ VGS=10V

RDS(ON) 3.0mΩ(max.)@ VGS=4.5V

ID 85A

 

 

 

 

 

 

Description

DFN5X6-8L

YZPST85N03 uses advanced Trench technology and designs to provide excellent RDS(ONwith low gate charge. This device is suitable for use in PWM, load switching and general purpose applications.

 

Applications

Features

Lithium-Ion Secondary Batteries

Load Switch

DC-DC converters and Off-line UPS

Low On-Resistance

Low Input Capacitance

Low Miller Charge

Low Input / Output Leakage


  Absolute Maximum Ratings (TA=25°C unless otherwise noted)                                                         

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

VDSS

30V

V

Gate-Source Voltage

VGSS

±20V

V

Drain Current-Continuous @ TC=25 NOTE 3

 

ID

85

A

Drain Current-Continuous @ TC=100 NOTE 3

68

A

Drain Current-Pulsed NOTE 1

IDM

320

A

Avalanche Current, L=0.1mH

IAS

50

A

Avalanche Energy, L=0.1mH

EAS

125

mJ

Maximum Power Dissipation @ TC=25

 

PD

60

W

Maximum Power Dissipation @ TA=25

5.7

W

Storage Temperature Range

TSTG

-50 to 150°C

°C

Operating Junction Temperature Range

TJ

-50 to 150°C

°C

  Thermal Resistance Ratings                                                                                                                    

Parameter

Symbol

Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

Maximum Junction-to-Ambient NOTE2

RθJA

Steady State

-

-

22

°C/W

Maximum Junction-to-Case

RθJC

Steady State

-

-

2.1

°C/W

  Electrical Characteristics(TJ=25°C unless otherwise noted)                                                              

Parameter

Symbol

Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Drain-Source Breakdown Voltage

BVDSS

VGS=0V , IDS=250uA

30

-

-

V

Zero Gate Voltage Drain Current

IDSS

VDS=30V, VGS=0V

-

-

1

uA

Gate-Source Leakage Current

IGSS

VGS=±20V , VDS=0V

-

-

±100

nA

ON CHARACTERISTICS

Gate Threshold Voltage

VGS(TH)

VGS=VDS, IDS=250uA

1.2

-

2.5

V

 

Drain-Source On-Resistance

 

RDS(ON)

VGS=10V , IDS=16A

-

1.75

2.3

 

mΩ

VGS=4.5V , IDS=16A

-

2.6

3.0

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Input Capacitance

Ciss

 

 

VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz

-

5910

-

 

 

pF

Output Capacitance

Coss

-

725

-

Reverse Transfer Capacitance

Crss

-

537

-

SWITCHING CHARACTERISTICS

Turn-On Delay Time

Td(on)

 

 

VDS=15V, VGS=10V, ID=1A , RGEM=3.3Ω

-

20

-

 

ns

Rise Time

tr

-

6.5

-

Turn-Off Delay Time

Td(off)

-

122

-

Fall Time

tf

-

15

-

Total Gate Charge at 4.5V

Qg

 

 

VDS=15V, IDS=16A, VGS=10V

-

54

-

 

 

nC

Gate to Source Gate Charge

Qgs

-

18

-

Gate to Drain "Miller" Charge

Qgd

-

20.5

-

SWITCHING CHARACTERISTICS

Drain-Source Diode Forward Voltage

VSD

VGS=0V, IS=4A

-

-

1.3

V

Body Diode Reverse Recovery Time

trr

If=10A, dl/dt=100A/μs, TJ=25°C

-

46

-

ns

Body Diode Reverse Recovery Charge

Qrr

-

38

-

nC

ملاحظات:

1. اختبار النبض: نبض العرض ≦ 300، ، دورة العمل ≦ 2 ٪.

2. RΘJA هو مجموع المقاومة الحرارية لكل حالة ومقاومة للحالة حيث يتم تعريف الإشارة الحرارية للحالة على أنها سطح تركيب لحام مسامير الصرف. RΘJC مضمونة بالتصميم بينما يتم تحديد RΘCA بواسطة تصميم لوحة المستخدم. RΘJA المبين أدناه لتشغيل الجهاز الواحد في FR-4 في

لازال هوائي.

3. الحد الأقصى للتقييم الحالي محدود بحزمة.


Mosfet 85N03 (1)Mosfet 85N03 (2)Mosfet 85N03 (3)Mosfet 85N03 (4)



منتوجات جديدة
苏ICP备05018286号-1
ارسل السؤال
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

إرسال