30V ولاعة السجائر الالكترونية Mosfet 80N03
$0.23≥1000Piece/Pieces
الدفع نوع: | L/C,T/T,Paypal |
إنكوترم: | FOB,CFR,CIF |
أدني كمية الطلب: | 1000 Piece/Pieces |
نقل: | Ocean,Air |
ميناء: | Shanghai |
$0.23≥1000Piece/Pieces
الدفع نوع: | L/C,T/T,Paypal |
إنكوترم: | FOB,CFR,CIF |
أدني كمية الطلب: | 1000 Piece/Pieces |
نقل: | Ocean,Air |
ميناء: | Shanghai |
نموذج: YZPST-80N03
علامة تجارية: YZPST
بيع الوحدات | : | Piece/Pieces |
نوع الحزمة | : | 1. التعبئة والتغليف المضادة للكهرباء الساكنة 2. علبة كرتون 3. التعبئة والتغليف البلاستيكية واقية |
ولاعة السجائر الالكترونية Mosfet
YZPST-80N03
VDSS 30V RDS(ON) 4mΩ(max.)@ VGS=10V RDS(ON) 6mΩ(max.)@ VGS=4.5V ID 100A |
|
Description |
DFN5X6-8L |
YZPST 80N03 uses advanced Trench technology and designs to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use in PWM, load switching and general purpose applications. |
|
Applications |
Features |
■ Lithium-Ion Secondary Batteries ■ Load Switch ■ DC-DC converters and Off-line UPS |
■ Low On-Resistance ■ Low Input Capacitance ■ Low Miller Charge ■ Low Input / Output Leakage |
Absolute Maximum Ratings (TA=25°C unless otherwise noted) |
|||
Parameter |
Symbol |
Value |
Unit |
Drain-Source Voltage |
VDSS |
30V |
V |
Gate-Source Voltage |
VGSS |
±20V |
V |
Drain Current-Continuous @ TC=25℃ NOTE1, 6 |
ID |
100 |
A |
Drain Current-Continuous @ TC=100℃ NOTE1, 6 |
80 |
A |
|
Drain Current-Continuous @ TA=25℃ NOTE1 |
ID |
20 |
A |
Drain Current-Continuous @ TA=100℃ NOTE1 |
15 |
A |
|
Drain Current-Pulsed NOTE 2 |
IDM |
216 |
A |
Avalanche Current |
IAS |
53.8 |
A |
Avalanche Energy NOTE 3 |
EAS |
144.7 |
mJ |
Maximum Power Dissipation @ TC=25℃ NOTE4 |
PD |
69 |
W |
Maximum Power Dissipation @ TA=25℃ NOTE4 |
2 |
W |
|
Storage Temperature Range |
TSTG |
-55 to 150°C |
°C |
Operating Junction Temperature Range |
TJ |
-55 to 150°C |
°C |
Thermal Resistance Ratings |
||||||
Parameter |
Symbol |
Conditions |
Min. |
Typ. |
Max. |
Unit |
Maximum Junction-to-Ambient NOTE1 |
RθJA |
Steady State |
- |
- |
62 |
°C/W |
Maximum Junction-to-Case NOTE1 |
RθJC |
Steady State |
- |
- |
1.8 |
°C/W |
Electrical Characteristics(TJ=25°C unless otherwise noted) |
||||||
Parameter |
Symbol |
Conditions |
Min. |
Typ. |
Max. |
Unit |
OFF CHARACTERISTICS |
||||||
Drain-Source Breakdown Voltage |
BVDSS |
VGS=0V , IDS=250uA |
30 |
- |
- |
V |
Zero Gate Voltage Drain Current |
IDSS |
VDS=24V, VGS=0V |
- |
- |
1 |
uA |
Gate-Source Leakage Current |
IGSS |
VGS=±20V , VDS=0V |
- |
- |
±100 |
nA |
ON CHARACTERISTICS |
||||||
Gate Threshold Voltage |
VGS(TH) |
VGS=VDS, IDS=250uA |
1.2 |
- |
2.5 |
V |
Drain-Source On-Resistance NOTE2 |
RDS(ON) |
VGS=10V , IDS=30A |
- |
- |
4 |
mΩ |
VGS=4.5V , IDS=20A |
- |
- |
6 |
mΩ |
||
Forward Transconductance |
gfs |
VDS=5V , ID=30A |
- |
26.5 |
- |
S |
Gate Resistance |
Rg |
VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz |
- |
1.4 |
- |
Ω |
DYNAMIC CHARACTERISTICS |
||||||
Input Capacitance |
Ciss |
VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz |
- |
3080 |
- |
pF |
Output Capacitance |
Coss |
- |
410 |
- |
||
Reverse Transfer Capacitance |
Crss |
- |
316 |
- |
||
SWITCHING CHARACTERISTICS |
||||||
Turn-On Delay Time |
Td(on) |
VDS=15V, VGS=10V, ID=15A , RGEM=3.3Ω |
- |
9.6 |
- |
ns |
Rise Time |
tr |
- |
20.8 |
- |
||
Turn-Off Delay Time |
Td(off) |
- |
58 |
- |
||
Fall Time |
tf |
- |
16 |
- |
||
Total Gate Charge at 4.5V |
Qg |
VDS=15V, IDS=15A, VGS=4.5V |
- |
32 |
- |
nC |
Gate to Source Gate Charge |
Qgs |
- |
9.1 |
- |
||
Gate to Drain "Miller" Charge |
Qgd |
- |
12.2 |
- |
||
SWITCHING CHARACTERISTICS |
||||||
Drain-Source Diode Forward Voltage 2 |
VSD |
VGS=0V, IS=1A |
- |
- |
1.0 |
V |
Continuous Source Current NOTE1, 5 |
IS |
VG=VD=0V , Force Current |
- |
- |
100 |
A |
Pulsed Source Current NOTE2,5 |
ISM |
- |
- |
216 |
A |
ملاحظات:
1. البيانات التي تم اختبارها عن طريق سطح شنت على لوحة FR-4 1 بوصة 2 مع النحاس 2OZ.
2. البيانات التي تم اختبارها بواسطة نبض ، عرض النبض ≦ 300us ، دورة العمل ≦ 2٪
3. تظهر بيانات قمة شرق آسيا ماكس. تقييم. شرط الاختبار هو VDD = 25V ، VGS = 10V ، L = 0.1mH ، IAS = 53.8A
4. إن تبديد الطاقة محدود بنسبة 175 درجة حرارة تقاطع
5. البيانات من الناحية النظرية هي نفسها مثل ID و IDM ، في التطبيقات الحقيقية ، يجب أن تكون محدودة من خلال مجموع تبديد الطاقة.
6. الحزمة الحد الحالي هو 85A.
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.