TO-247 DC-AC محول الترانزستور NPN التكميلية
أحصل على آخر سعرالدفع نوع: | L/C,T/T,Paypal |
إنكوترم: | FOB,CFR,CIF |
نقل: | Ocean,Air |
ميناء: | Shanghai |
الدفع نوع: | L/C,T/T,Paypal |
إنكوترم: | FOB,CFR,CIF |
نقل: | Ocean,Air |
ميناء: | Shanghai |
نموذج: YZPST-2SDW100
علامة تجارية: YZPST
قوة تكميلية دارلينجتون الترانزستورات
YZPST-2SDW100
الميزات
■ NPN التكميلية - PNP الترانزستورات
■ تكوين Monolithic دارلينجتون
تطبيقات
■ مضخم الصوت
■ محول التيار المباشر
■ محرك الجهد المنخفض DC
■ تطبيقات تحويل الأغراض العامة
وصف
يتم تصنيع الأجهزة في تقنية مستوية مع تخطيط [جزيرة الأساس] وتكوين Darlington متجانسة.
T a b le 1 . D e v i c e الصورة ummary
Order code |
Marking |
Package |
Packaging |
2SDW100 |
2SDW100 |
TO-247 |
Tube |
2SDW200 |
2SDW200 |
1 المطلق ماكسي م تصنيفات
T a b le 2 . Ab s o l ut e م a x i m u m را تي خ ع
Symbol |
Parameter |
Value |
Unit |
|
NPN |
2SDW100 |
|||
PNP |
2SDW200 |
|||
VCBO |
Collector-emitter voltage (IE = 0) |
80 |
V |
|
VCEO |
Collector-emitter voltage (IB = 0) |
80 |
V |
|
IC |
Collector current |
25 |
A |
|
ICM |
Collector peak current (tP < 5 ms) |
40 |
A |
|
IB |
Base current |
6 |
A |
|
IBM |
Base peak current (tP < 5 ms) |
10 |
A |
|
PTOT |
Total dissipation at Tc ≤ 25 °C |
130 |
W |
|
TSTG |
Storage temperature |
-65 to 150 |
°C |
|
TJ |
Max. operating junction temperature |
150 |
°C |
لا t e : F أو PN P ty p e v ol t a ge والثانية c u r r e nt ضد آل ش ه ق ص n e g a ti v e
T a b le 3 . T herm al د تا
Symbol |
Parameter |
Value |
Unit |
RthJC |
Thermal resistance junction-case max |
0.96 |
°C/W |
2 الكهربائية ج h aracteristics
T كاليفورنيا ق ه = 2 5 ° C ما لم الآخر ث اي spe c ified.
|
Symbol |
Parameter |
Test conditions |
Min. |
Typ. |
Max. |
Unit |
ICBO |
Collector cut-off current (IE = 0) |
VCE = 80 V |
|
|
0.5 |
mA |
ICEV |
Collector cut-off current (VBE = - 0.3 V) |
VCE = 80 V |
|
|
0.1 |
mA |
ICEO |
Collector cut-off current (IB = 0) |
VCE = 60 V |
|
|
0.5 |
mA |
IEBO |
Emitter cut-off current (IC = 0) |
VEB = 5 V |
|
|
2 |
mA |
VCEO(sus) (1) |
Collector-emitter sustaining voltage (IB = 0) |
IC = 50 mA |
80 |
|
|
V |
VCE(sat)(1) |
Collector-emitter saturation voltage |
IC = 5 A IB = 20 mA IC = 10 A IB = 40 mA IC = 20 A IB = 80 mA |
|
|
1.2 1.75 3.5 |
V V V |
VBE(sat)(1) |
Base-emitter saturation voltage |
C B |
|
|
3.3 |
V |
(1) |
Base-emitter voltage |
I = 10 A V = 3 V |
1 |
|
3 |
V |
hFE(1) |
DC current gain |
IC = 5 A VCE = 3 V IC = 10 A VCE = 3 V IC = 20 A VCE = 3 V |
600 500 300 |
|
15000 12000 6000 |
|
VF(1) |
Diode forward voltage |
IF = 10 A |
|
TBD |
|
V |
Is/b |
Second breakdown current |
VCE = 25 V t = 500 ms |
|
TBD |
|
A |
1. اختبار النبض: مدة النبض ≤ 300 ،s ، دورة العمل ≤ 2 ٪.
بالنسبة إلى نوع PNP الجهد والقيم الحالية سالبة.
TO- 2 4 7 M e ch a ni c a a l البيانات
Dim. |
mm. |
||
Min. |
Typ |
Max. |
|
A |
4.85 |
|
5.15 |
A1 |
2.20 |
|
2.60 |
b |
1.0 |
|
1.40 |
b1 |
2.0 |
|
2.40 |
b2 |
3.0 |
|
3.40 |
c |
0.40 |
|
0.80 |
D |
19.85 |
|
20.15 |
E |
15.45 |
|
15.75 |
e |
|
5.45 |
|
L |
14.20 |
|
14.80 |
L1 |
3.70 |
|
4.30 |
L2 |
|
18.50 |
|
øP |
3.55 |
|
3.65 |
øR |
4.50 |
|
5.50 |
S |
|
5.50 |
|
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.