YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD. الترانزستورات NPN التكميلية,TO-247 الترانزستورات,DC-AC محول الترانزستورات

TO-247 DC-AC محول الترانزستور NPN التكميلية

حصة ل:  
    الدفع نوع: L/C,T/T,Paypal
    Incoterm: FOB,CFR,CIF
    موعد التسليم: 30 أيام

معلومات أساسية

نموذج: YZPST-2SDW100

شهادة: بنفايات, CE

هيكل التغليف: البلاستيك مختومة الترانزستور

Additional Info

إنتاجية: 1000

علامة تجارية: YZPST

نقل: Ocean,Air

مكان المنشأ: الصين

تفاصيل التجارة القدرة علي التوريد: 10000

الشهادات: ISO9001-2008,ROHS

رمز النظام المنسق: 85413000

ميناء: Shanghai

وصف المنتج

قوة تكميلية دارلينجتون الترانزستورات

YZPST-2SDW100

الميزات


■ NPN التكميلية - PNP الترانزستورات

■ تكوين Monolithic دارلينجتون



تطبيقات


■ مضخم الصوت

■ محول التيار المباشر

■ محرك الجهد المنخفض DC

■ تطبيقات تحويل الأغراض العامة


وصف


يتم تصنيع الأجهزة في تقنية مستوية مع تخطيط [جزيرة الأساس] وتكوين Darlington متجانسة.





T a b le 1 . D e v i c e الصورة ummary

Order code

Marking

Package

Packaging

2SDW100

2SDW100

TO-247

Tube

2SDW200

2SDW200


1 المطلق ماكسي م تصنيفات

T a b le 2 . Ab s o l ut e م a x i m u m را تي خ ع

 

Symbol

 

Parameter

Value

 

Unit

NPN

2SDW100

PNP

2SDW200

VCBO

Collector-emitter voltage (IE = 0)

80

V

VCEO

Collector-emitter voltage (IB = 0)

80

V

IC

Collector current

25

A

ICM

Collector peak current (tP < 5 ms)

40

A

IB

Base current

6

A

IBM

Base peak current (tP < 5 ms)

10

A

PTOT

Total dissipation at Tc 25 °C

130

W

TSTG

Storage temperature

-65 to 150

°C

TJ

Max. operating junction temperature

150

°C


لا t e : F أو PN P ty p e v ol t a ge والثانية c u r r e nt ضد آل ش ه ق ص n e g a ti v e


T a b le 3 . T herm al د تا

Symbol

Parameter

Value

Unit

RthJC

Thermal resistance junction-case max

0.96

°C/W


2 الكهربائية ج h aracteristics

T كاليفورنيا ق ه = 2 5 ° C ما لم الآخر ث اي spe c ified.

Symbol

Parameter

Test conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

 

ICBO

Collector cut-off current

(IE = 0)

 

VCE = 80 V

 

 

 

0.5

 

mA

 

ICEV

Collector cut-off current

(VBE = - 0.3 V)

 

VCE = 80 V

 

 

 

0.1

 

mA

 

ICEO

Collector cut-off current

(IB = 0)

 

VCE = 60 V

 

 

 

0.5

 

mA

 

IEBO

Emitter cut-off current

(IC = 0)

 

VEB = 5 V

 

 

 

2

 

mA

VCEO(sus) (1)

Collector-emitter sustaining voltage (IB = 0)

 

IC = 50 mA

 

80

 

 

 

V

 

VCE(sat)(1)

 

Collector-emitter saturation voltage

IC = 5 A      IB = 20 mA IC = 10 A    IB = 40 mA IC = 20 A    IB = 80 mA

 

 

1.2

1.75

3.5

V V V

 

VBE(sat)(1)

Base-emitter saturation voltage

 

C                   B

 

 

 

3.3

 

V

(1)

Base-emitter voltage

I  = 10 A  V     = 3 V

1

 

3

V

 

hFE(1)

 

DC current gain

IC = 5 A      VCE = 3 V IC = 10 A    VCE = 3 V IC = 20 A    VCE = 3 V

600

500

300

 

15000

12000

6000

 

VF(1)

Diode forward voltage

IF = 10 A

 

TBD

 

V

 

Is/b

Second breakdown current

 

VCE = 25 V   t = 500 ms

 

 

TBD

 

 

A



T a b le 4 . E l e c tr i c al c h a ra c t t e r i s t i cs

Symbol

Parameter

Test conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

 

ICBO

Collector cut-off current

(IE = 0)

 

VCE = 80 V

 

 

 

0.5

 

mA

 

ICEV

Collector cut-off current

(VBE = - 0.3 V)

 

VCE = 80 V

 

 

 

0.1

 

mA

 

ICEO

Collector cut-off current

(IB = 0)

 

VCE = 60 V

 

 

 

0.5

 

mA

 

IEBO

Emitter cut-off current

(IC = 0)

 

VEB = 5 V

 

 

 

2

 

mA

VCEO(sus) (1)

Collector-emitter sustaining voltage (IB = 0)

 

IC = 50 mA

 

80

 

 

 

V

 

VCE(sat)(1)

 

Collector-emitter saturation voltage

IC = 5 A      IB = 20 mA IC = 10 A    IB = 40 mA IC = 20 A    IB = 80 mA

 

 

1.2

1.75

3.5

V V V

 

VBE(sat)(1)

Base-emitter saturation voltage

 

C                   B

 

 

 

3.3

 

V

(1)

Base-emitter voltage

I  = 10 A  V     = 3 V

1

 

3

V

 

hFE(1)

 

DC current gain

IC = 5 A      VCE = 3 V IC = 10 A    VCE = 3 V IC = 20 A    VCE = 3 V

600

500

300

 

15000

12000

6000

 

VF(1)

Diode forward voltage

IF = 10 A

 

TBD

 

V

 

Is/b

Second breakdown current

 

VCE = 25 V   t = 500 ms

 

 

TBD

 

 

A

1. اختبار النبض: مدة النبض ≤ 300 ،s ، دورة العمل ≤ 2 ٪.

بالنسبة إلى نوع PNP الجهد والقيم الحالية سالبة.



TO- 2 4 7 M e ch a ni c a a l البيانات

 

Dim.

mm.

Min.

Typ

Max.

A

4.85

 

5.15

A1

2.20

 

2.60

b

1.0

 

1.40

b1

2.0

 

2.40

b2

3.0

 

3.40

c

0.40

 

0.80

D

19.85

 

20.15

E

15.45

 

15.75

e

 

5.45

 

L

14.20

 

14.80

L1

3.70

 

4.30

L2

 

18.50

 

øP

3.55

 

3.65

øR

4.50

 

5.50

S

 

5.50

 

transistors 2SDW100 1transistors 2SDW100



صورة المنتج
  • TO-247 DC-AC محول الترانزستور NPN التكميلية
  • TO-247 DC-AC محول الترانزستور NPN التكميلية
البريد الإلكتروني لهذا المورد
  • *الموضوع:
  • إلى:
    John chang
  • *رسائل:
    يجب أن تكون رسالتك بين 20-8000 الأحرف

اشترك في النشرة الإلكترونية:
الحصول على التحديثات، خصومات وعروض خاصة وجوائز كبيرة!

متعدد اللغات:
حق النشر © 2019 YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.حق الطبعة الملكية
التواصل مع مزود؟المزود
John chang Mr. John chang
ماذا يمكنني أن أفعل لك؟
الدردشة الآن الاتصال المورد
苏ICP备05018286号-1