YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD. الترانزستور السلطة التكميلية,الغرض العام الترانزستور,تكملة الجهد المنخفض الترانزستور

الغرض العام الجهد المنخفض الترانزستور BD139

حصة ل:  
    الدفع نوع: L/C,T/T,Paypal
    Incoterm: FOB,CFR,CIF
    موعد التسليم: 30 أيام
تحميل: YZPST-BD139

معلومات أساسية

نموذج: YZPST-BD139

Additional Info

إنتاجية: 1000

علامة تجارية: YZPST

نقل: Ocean,Air

مكان المنشأ: الصين

تفاصيل التجارة القدرة علي التوريد: 10000

الشهادات: ISO9001-2008,ROHS

رمز النظام المنسق: 85413000

ميناء: SHANGHAI

وصف المنتج


تكملة الجهد المنخفض الترانزستور


YZPST-BD139



المميزات


■ تم اختيار المنتجات مسبقًا في مكسب التيار المستمر



الوضعية


purpose الغرض العام


وصف


هذه الترانزستورات المستوية الفوقية مثبتة في العبوة البلاستيكية SOT-32. وهي مصممة للمكبرات الصوتية وبرامج التشغيل التي تستخدم الدوائر التكميلية أو شبه التكميلية. أنواع NPN هي BD135 و BD139 ، وأنواع PNP التكميلية هي BD136 و BD140.




تي أ ب جنيه 1 . D e v i c e ق ummary

Order codes

Marking

Package

Packaging

BD135

BD135

 

SOT-32

 

Tube

BD135-16

BD135-16

BD136

BD136

BD136-16

BD136-16

BD139

BD139

BD139-10

BD139-10

BD139-16

BD139-16

BD140

BD140

BD140-10

BD140-10

BD140-16

BD140-16

T a b le 2. أقصى درجات التقييم المطلقة

 

 

 

Symbol

 

 

 

Parameter

Value

 

 

 

Unit

NPN

PNP

BD135

BD139

BD136

BD140

VCBO

Collector-base voltage (IE = 0)

45

80

-45

-80

V

VCEO

Collector-emitter voltage (IB = 0)

45

80

-45

-80

V

VEBO

Emitter-base voltage (IC = 0)

5

-5

V

IC

Collector current

1.5

-1.5

A

ICM

Collector peak current

3

-3

A

IB

Base current

0.5

-0.5

A

PTOT

Total dissipation at Tc   25 °C

12.5

W

PTOT

Total dissipation at Tamb   25 °C

1.25

W

Tstg

Storage temperature

-65 to 150

°C

Tj

Max. operating junction temperature

150

°C

T a b le 3. البيانات الحرارية

Symbol

Parameter

Max value

Unit

Rthj-case

Thermal resistance junction-case

10

°C/W

Rthj-amb

Thermal resistance junction-ambient

100

°C/W

Symbol

Parameter

Polarity

Test conditions

Value

Unit

Min.

Typ.

Max.

ICBO

Collector cut-off current (I =0)

NPN

VCB = 30 V

VCB = 30 V, TC = 125 °C

0.1

10

µA

µA

PNP

VCB = -30 V

VCB = -30 V, TC = 125 °C

-0.1

-10

µA

µA

IEBO

Emitter cut-off current

(I  =0)

NPN

VEB = 5 V

10

µA

PNP

VEB = -5 V

-10

µA

VCEO(sus)(1)

Collector-emitter sustaining voltage (IB=0)

NPN

IC = 30 mA BD135

BD139

45

80

V V

PNP

IC = -30 mA BD136

BD140

-45

-80

V V

VCE(sat) (1)

Collector-emitter saturation voltage

NPN

IC = 0.5 A, IB = 0.05 A

0.5

V

PNP

IC = -0.5 A, IB = -0.05 A

-0.5

V

VBE (1)

Base-emitter voltage

NPN

IC = 0.5 A, VCE = 2 V

1

V

PNP

IC = -0.5 A, VCE = -2 V

-1

V

hFE (1)

DC current gain

NPN

IC = 5 mA, VCE = 2 V

IC = 150 mA, VCE = 2 V IC = 0.5 A, VCE = 2 V

25

40

25

250

PNP

IC = -5 mA, VCE = -2 V

IC = -150 mA, VCE = -2 V IC = -0.5 A, VCE = -2 V

25

40

25

250

hFE (1)

hFE groups

NPN

IC = 150 mA, VCE = 2 V BD139-10

BD135-16/BD139-16

63

100

160

250

PNP

IC = -150 mA, VCE = -2 V BD140-10

BD136-16/BD140-16

63

100

160

250


T أ ب جنيه 4. تشغيل / إيقاف الدول

 

Symbol

 

Parameter

 

Polarity

 

Test conditions

Value

 

Unit

Min.

Typ.

Max.

 

 

ICBO

 

 

Collector cut-off current (I =0)

 

NPN

VCB = 30 V

VCB = 30 V, TC = 125 °C

 

 

0.1

10

µA

µA

 

PNP

VCB = -30 V

VCB = -30 V, TC = 125 °C

 

 

-0.1

-10

µA

µA

 

IEBO

Emitter cut-off current

(I  =0)

NPN

VEB = 5 V

 

 

10

µA

PNP

VEB = -5 V

 

 

-10

µA

 

 

 

 

VCEO(sus)(1)

 

 

Collector-emitter sustaining voltage (IB=0)

 

 

NPN

IC = 30 mA BD135

BD139

 

 

45

80

 

 

 

 

V V

 

 

PNP

IC = -30 mA BD136

BD140

 

 

-45

-80

 

 

 

 

V V

 

VCE(sat) (1)

 

Collector-emitter saturation voltage

NPN

IC = 0.5 A, IB = 0.05 A

 

 

0.5

V

PNP

IC = -0.5 A, IB = -0.05 A

 

 

-0.5

V

 

VBE (1)

 

Base-emitter voltage

NPN

IC = 0.5 A, VCE = 2 V

 

 

1

V

PNP

IC = -0.5 A, VCE = -2 V

 

 

-1

V

 

 

 

 

hFE (1)

 

 

 

 

DC current gain

 

 

NPN

IC = 5 mA, VCE = 2 V

IC = 150 mA, VCE = 2 V IC = 0.5 A, VCE = 2 V

25

40

25

 

 

 

250

 

 

 

PNP

IC = -5 mA, VCE = -2 V

IC = -150 mA, VCE = -2 V IC = -0.5 A, VCE = -2 V

25

40

25

 

 

 

250

 

 

 

 

 

hFE (1)

 

 

 

 

hFE groups

 

 

NPN

IC = 150 mA, VCE = 2 V BD139-10

BD135-16/BD139-16

 

 

63

100

 

 

 

160

250

 

 

 

PNP

IC = -150 mA, VCE = -2 V BD140-10

BD136-16/BD140-16

 

 

63

100

 

 

 

160

250

 

transistor BD139 (1)


transistor BD139 (2)




صورة المنتج
  • الغرض العام الجهد المنخفض الترانزستور BD139
  • الغرض العام الجهد المنخفض الترانزستور BD139
  • الغرض العام الجهد المنخفض الترانزستور BD139
البريد الإلكتروني لهذا المورد
  • *الموضوع:
  • إلى:
    John chang
  • *رسائل:
    يجب أن تكون رسالتك بين 20-8000 الأحرف

اشترك في النشرة الإلكترونية:
الحصول على التحديثات، خصومات وعروض خاصة وجوائز كبيرة!

متعدد اللغات:
حق النشر © 2019 YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.حق الطبعة الملكية
التواصل مع مزود؟المزود
John chang Mr. John chang
ماذا يمكنني أن أفعل لك؟
الدردشة الآن الاتصال المورد
苏ICP备05018286号-1