سعر الوحدة: | USD 0.3 - 0.4 / Piece/Pieces |
---|---|
الدفع نوع: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
أدني كمية الطلب: | 2000 Piece/Pieces |
موعد التسليم: | 30 أيام |
نموذج: YZPST-25TTS08
تفاصيل التعبئة والتغليف: 1. تغليف مضاد للكهرباء الساكنة 2. علبة كرتون 3. عبوة بلاستيكية واقية
إنتاجية: 10000
علامة تجارية: YZPST
نقل: Ocean,Air
مكان المنشأ: الصين
تفاصيل التجارة القدرة علي التوريد: 100000
الشهادات: ISO9001-2015,ROHS
ميناء: SHANGHAI
الرقم الهيدروجيني ASE التحكم SCR
YZPST-25TTS08
الوصف / الميزات
تم تصميم 25TTS08 من مقومات السيليكون التي يتم التحكم فيها خصيصًا لتطبيقات التحكم في الطاقة المتوسطة والتحكم في الطور. تكنولوجيا التخميل الزجاجية المستخدمة لديها عملية موثوقة تصل إلى 125 درجة مئوية.
توجد تطبيقات نموذجية في تصحيح المدخلات (softstart) ، وقد تم تصميم هذه المنتجات لاستخدامها مع الثنائيات المدخلات ومفاتيح التحويل ومقومات الإخراج الدولية المتاحة في الخطوط العريضة متطابقة الحزمة.
تقدير الحد الأقصى المطلق (تا = 25 درجة مئوية)
Parameter |
Symbol |
Typ |
Unit |
Repetitive peak off-state voltages |
VDRM VRRM |
800 |
V |
Average on-state current |
IT(AV) |
16 |
A |
RMS on-state current |
IT(RMS) |
25 |
A |
Non-repetitive peak on-state current |
ITSM |
300 |
A |
Max. Operating Junction Temperature |
Tj |
110 |
oC |
Storage Temperature |
Tstg |
-45~150 |
oC |
الخصائص الكهربائية (تا = 25 درجة مئوية)
Parameter |
Symbol |
Test Conditions |
Min |
Typ |
Max |
Unit |
Repetitive peak off-state voltages |
VDRM VRRM |
|
- |
800 |
- |
V |
Average on-state current |
IT(AV) |
o |
- |
16 |
- |
A |
RMS on-state current |
IT(RMS) |
all conduction angles |
- |
25 |
- |
A |
On-state voltage |
VTM |
o |
- |
- |
1.25 |
V |
Holding current |
IH |
VD =12 V; IGT = 0.1 A |
- |
- |
100 |
mA |
Latching current |
IL |
VD =12 V; IGT = 0.1 A |
- |
- |
200 |
mA |
Gate trigger current |
IGT |
VD =12 V; IT = 0.1 A |
- |
- |
45 |
mA |
Gate trigger voltage |
VGT |
VD =12 V; IT = 0.1 A |
- |
- |
2.0 |
V |
اشترك في النشرة الإلكترونية:
الحصول على التحديثات، خصومات وعروض خاصة وجوائز كبيرة!