SCR الترانزستور السلطة الترانزستور سعر بسعر رائع

حصة ل:

أضف إلى سلة المشتريات

الدفع نوع:	L/C,T/T,Paypal
Incoterm:	FOB,CFR,CIF
موعد التسليم:	30 أيام

Mr. John chang
الدردشة الآن

الآن الاتصال

معلومات أساسية

نموذج: YZPST-1690-TO-247S

علامة تجارية: YZPST

Additional Info

تفاصيل التعبئة والتغليف: 1. التعبئة والتغليف المضادة للكهرباء الساكنة 2. علبة كرتون 3. التعبئة والتغليف البلاستيكية واقية

إنتاجية: 1000

نقل: Ocean,Air

مكان المنشأ: الصين

تفاصيل التجارة القدرة علي التوريد: 10000

الشهادات: ISO9001-2008,ROHS

رمز النظام المنسق: 85413000

ميناء: Shanghai

الدفع نوع: L/C,T/T,Paypal

Incoterm: FOB,CFR,CIF

موعد التسليم: 30 أيام

وصف المنتج

PST1690 Series 90A SCRs

YZPST-1690-TO-247S

D E SCRI P TI O N:

PS T1 6 9 0 s e r i e s o f أيقونة si l c o n trolled rec t i f iers، w ith h i g h ab l i l ity ر س wit h st an d ر ح ه s h o ck l o a d i n g o f lar g e c u r r en en t، p ro v ide h i g h d v / d t معدل مع ايث ق ر ص ز على مقاومة وم إلى e lec t r o m a a g ne tic i n t e r f e re n n c e . Th e y a re e s p e cially rec o mm en d e d و س ص استخدام س ن s o l i d st a te rela y ، mo t o rc y cle، po w e r c ha r g e r ، T - t oo ls e tc

SCR الترانزستور السلطة الترانزستور سعر بسعر رائع

A B S O L U TE MA X I MU M R A TINGS

Parameter	Symbol	Value	Unit
Storage junction temperature range	Tstg	-40-150	℃
Operating junction temperature range	Tj	-40-125	℃
Repetitive peak off-state voltage	VDRM	1600	V
Repetitive peak reverse voltage	VRRM	1600	V
Average on-state current (TC=80℃)	IT(AV)	56	A
RMS on-state current(TC=80℃)	IT(RMS)	90	A
Non repetitive surge peak on-state current (tp=10ms)	ITSM	1250	A
I2t value for fusing (tp=10ms)	I2t	7800	A2s
Critical rate of rise of on-state current (IG=2×IGT)	dI/dt	150	A/μs
Peak gate current	IGM	10	A
Peak gate power	PGM	20	W
Average gate power dissipation(Tj=125℃)	PG(AV)	2	W

E L E C TRICAL CH A R A CTERI S TICS ( T j = 25 ℃ u n less o t h e r w ise الصورة المؤسسة العامة CI و ط د ه)

Symbol	Test Condition	Value			Unit
Symbol	Test Condition	MIN.	TYP.	MAX.	Unit
IGT	VD=12V RL=30Ω	10	-	80	mA
VGT	VD=12V RL=30Ω	-	-	1.5	V
VGD	VD=VDRM Tj=125℃	0.25	-	-	V
IL	IG=1.2 IGT	-	-	200	mA
IH	IT=1A	-	-	150	mA
dV/dt	VD=2/3VDRM Tj=125℃ Gate Open	1000	-	-	V/μs