SCR الترانزستور السلطة الترانزستور سعر بسعر رائع
أحصل على آخر سعرالدفع نوع: | L/C,T/T,Paypal |
إنكوترم: | FOB,CFR,CIF |
نقل: | Ocean,Air |
ميناء: | Shanghai |
الدفع نوع: | L/C,T/T,Paypal |
إنكوترم: | FOB,CFR,CIF |
نقل: | Ocean,Air |
ميناء: | Shanghai |
نموذج: YZPST-1690-TO-247S
علامة تجارية: YZPST
نوع الحزمة | : | 1. التعبئة والتغليف المضادة للكهرباء الساكنة 2. علبة كرتون 3. التعبئة والتغليف البلاستيكية واقية |
YZPST-1690-TO-247S
D E SCRI P TI O N:
PS T1 6 9 0 s e r i e s o f أيقونة si l c o n trolled rec t i f iers، w ith h i g h ab l i l ity ر س wit h st an d ر ح ه s h o ck l o a d i n g o f lar g e c u r r en en t، p ro v ide h i g h d v / d t معدل مع ايث ق ر ص ز على مقاومة وم إلى e lec t r o m a a g ne tic i n t e r f e re n n c e . Th e y a re e s p e cially rec o mm en d e d و س ص استخدام س ن s o l i d st a te rela y ، mo t o rc y cle، po w e r c ha r g e r ، T - t oo ls e tcSCR الترانزستور السلطة الترانزستور سعر بسعر رائع
A B S O L U TE MA X I MU M R A TINGS
Parameter |
Symbol |
Value |
Unit |
Storage junction temperature range |
Tstg |
-40-150 |
℃ |
Operating junction temperature range |
Tj |
-40-125 |
℃ |
Repetitive peak off-state voltage |
VDRM |
1600 |
V |
Repetitive peak reverse voltage |
VRRM |
1600 |
V |
Average on-state current (TC=80℃) |
IT(AV) |
56 |
A |
RMS on-state current(TC=80℃) |
IT(RMS) |
90 |
A |
Non repetitive surge peak on-state current (tp=10ms) |
ITSM |
1250 |
A |
I2t value for fusing (tp=10ms) |
I2t |
7800 |
A2s |
Critical rate of rise of on-state current (IG=2×IGT) |
dI/dt |
150 |
A/μs |
Peak gate current |
IGM |
10 |
A |
Peak gate power |
PGM |
20 |
W |
Average gate power dissipation(Tj=125℃) |
PG(AV) |
2 |
W |
E L E C TRICAL CH A R A CTERI S TICS ( T j = 25 ℃ u n less o t h e r w ise الصورة المؤسسة العامة CI و ط د ه)
Symbol |
Test Condition |
Value |
Unit |
||
MIN. |
TYP. |
MAX. |
|||
IGT |
VD=12V RL=30Ω |
10 |
- |
80 |
mA |
VGT |
- |
- |
1.5 |
V |
|
VGD |
VD=VDRM Tj=125℃ |
0.25 |
- |
- |
V |
IL |
IG=1.2 IGT |
- |
- |
200 |
mA |
IH |
IT=1A |
- |
- |
150 |
mA |
dV/dt |
VD=2/3VDRM Tj=125℃ Gate Open |
1000 |
- |
- |
V/μs |
S TA TIC C H A RA CTERI S TICS
Symbol |
Parameter |
Value(MAX) |
Unit |
|
VTM |
ITM=110A tp=380μs |
TC=25℃ |
1.8 |
V |
IDRM |
VD=VDRM VR=VRRM |
TC=25℃ |
50 |
μA |
IRRM |
TC=125℃ |
10 |
mA |
THERMAL R E S I S T AN CE S
Symbol |
Parameter |
Value |
Unit |
Rth(j-c) |
junction to case(DC) |
0.27 |
℃/W |
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.