إمكانية عالية من DV/DT 320A التحكم في الطور الثايرستور
$452-49 Piece/Pieces
$39≥50Piece/Pieces
الدفع نوع: | L/C,T/T,Paypal |
إنكوترم: | FOB,CFR,CIF |
نقل: | Ocean,Air |
ميناء: | Shanghai |
$452-49 Piece/Pieces
$39≥50Piece/Pieces
الدفع نوع: | L/C,T/T,Paypal |
إنكوترم: | FOB,CFR,CIF |
نقل: | Ocean,Air |
ميناء: | Shanghai |
نموذج: YZPST-T171-320-10
علامة تجارية: YZPST
نوع التوريد: المصنع الأصلي
المواد المرجعية: صورة, آخر
ترتيب: مجموعة مصفوفة
الانهيار الحالي: لا ينطبق
درجة حرارة التشغيل: -40 درجة مئوية ~ 125 درجة مئوية
نوع SCR: بوابة حساسة
بناء: أعزب
الجهد على: لا ينطبق
مشغل بوابة الجهد (Vgt) (الحد الأقصى): لا ينطبق
التيار الناتج (الحد الأقصى): لا ينطبق
ITRMS: 502A
ITSM: 7kA
IH: 300mA
مرحلة السيطرة على الثايرستور
YZPST-T171-320-10
سمات
تكوين بوابة تضخيم المركز
الضغط المستعبدين
قدرة DV/DT عالية
نوع مسمار ، خيط بوصة أو مقياس
التطبيقات النموذجية
تبديل الطاقة المتوسطة
إمدادات الطاقة العاصمة
أقصى درجات وخصائص
Symbol |
Parameter |
Values |
Units |
Test Conditions |
|
ON-STATE |
|
|
|
||
ITAV |
Mean on-state current |
320 |
A |
Sinewave,180° conduction,Tc=84oC |
|
ITRMS |
RMS value of on-state current |
502 |
A |
Nominal value |
|
ITSM |
Peak one cycle surge (non repetitive) current |
7 |
kA |
10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC |
|
I2t |
I square t |
240 |
KA2s |
8.3 msec and 10.0 msec |
|
IL |
Latching current |
700 |
mA |
VD = 24 V; RL= 12 ohms |
|
IH |
Holding current |
300 |
mA |
VD = 24 V; I = 2.5 A |
|
VTM |
Peak on-state voltage |
1.6 |
V |
ITM = 1005 A |
|
di/dt |
Critical rate of rise of on-state current |
non-repetitive |
1000 |
A/ms |
Gate drive 20V, 20Ω, tr≤1μs, Tj=Tjmax, anode voltage≤80% VDRM |
repetitive |
- |
||||
BLOCKING |
|
|
|
||
VDRM VRRM |
Repetitive peak off state voltage Repetitive peak reverse voltage |
1000 |
V |
|
|
VDSM VRSM |
Non repetitive peak off state voltage Non repetitive peak reverse voltage |
1100 |
V |
|
|
IDRM IRRM |
Repetitive peak off state current Repetitive peak reverse current |
70 |
mA |
Tj = 100 oC ,VRRM VDRM applied |
|
dV/dt |
Critical rate of voltage rise |
500 |
V/ms |
TJ=TJmax, linear to 80% rated VDRM |
|
TRIGGEING |
|
|
|
||
PG(AV) |
Average gate power dissipation |
3 |
W |
|
|
PGM |
Peak gate power dissipation |
- |
W |
|
|
IGM |
Peak gate current |
6 |
A |
|
|
IGT |
Gate trigger current |
250 |
mA |
TC = 25 oC |
|
VGT |
Gate trigger voltage |
2.5 |
V |
TC = 25 oC |
|
VGD |
Gate non-trigger voltage |
0.6 |
V |
Tj = 125 oC |
|
VT0 |
|
1.006 |
V |
Tj = 125 oC |
|
rT |
|
0612 |
mΩ |
|
|
SWITCHING |
|
|
|
||
tq |
Turn-off time |
125 |
ms |
ITM=320A, TJ=TJmax, di/dt=10A/μs, VR=100V,dv/dt=50V/μs, Gate 0V 100Ω, tp=500μs |
|
td |
Delay time |
- |
Gate current A, di/dt=40A/μs, Vd=0.67%VDRM, TJ=25 oC |
الحرارية والميكانيكية
Symbol |
Parameter |
Values |
Units |
Test Conditions |
Tj |
Operating temperature |
-40~125 |
oC |
|
Tstg |
Storage temperature |
-40~125 |
oC |
|
R th (j-c) |
Thermal resistance - junction to case |
0.085 |
oC/W |
DC operation ,Single sided cooled |
R th (c-s) |
Thermal resistance - case to sink |
- |
oC/W |
Single sided cooled |
P |
Mounting force |
- |
Nm |
± 10 % |
W |
Weight |
440 |
g |
about |
الخطوط العريضة
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.