جهاز تجميع الضغط عالي الثايرستور 4500 فولت

جهاز تجميع الضغط عالي الثايرستور 4500 فولت

$4101-9 Piece/Pieces

$310≥10Piece/Pieces

الدفع نوع:	L/C,T/T,Paypal
إنكوترم:	FOB,CFR,CIF
أدني كمية الطلب:	1 Piece/Pieces
نقل:	Ocean,Air
ميناء:	SHANGHAI

الآن الاتصال

وصف المنتج

سمات المنتج

التعبئة والتغليف والت...

وصف المنتج

سمات المنتج

نموذج: YZPST-R3708FC45V

علامة تجارية: YZPST

التعبئة والتغليف والت...

بيع الوحدات	:	Piece/Pieces
نوع الحزمة	:	1. تغليف مضاد للكهرباء الإستاتيكية 2. علبة كرتون 3. عبوة بلاستيكية واقية

私域 R3708FC45V 截取视频 15 秒 1-1.88MB.MP4



وصف المنتج

ثايرستور عالي القدرة لتطبيقات التحكم في المرحلة

(يزبست-ر 3708 كف 45 ف)

الميزات:

. جميع الهياكل المنتشرة

. تكوين بوابة التضخيم الخطي

. القدرة على حجب ما يصل إلى 4500 فولت

. أقصى وقت إطفاء مضمون

. قدرة عالية dV / dt

. جهاز تجميع الضغط

المنع - خارج الدولة

Device Type	VRRM (1)	VDRM (1)	VRSM (1)
R3708FC45	4500	4500	4600

V RRM = الجهد العكسي للذروة المتكررة

V DRM

= إعادة ص etiti ضد ه ص EAK س وما يليها دولة فو الجمعية اللبنانية لتعزيز ز ه

V RSM = N o n إعادة ص etiti ضد ه ص EAK re v erse vo lta g e ( 2 )

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage	IRRM / IDRM	200 mA (3)
Critical rate of voltage rise	dV/dt (4)	200 V/μsec

إجراء - على الدولة

شكل متموج إلى 80٪ مصنف V DRM . بوابة افتح. Tj = 125 س .

(5) غير مكرر القيمة.

(6) ال القيمة من di / dt تم إنشاؤه في بالتوافق مع EIA / NIMA اساسي RS-397 ، الجزء

5-2-2-6. م ح القيمة يعرف سيكون كن في إضافة إلى ذلك تم الحصول عليها من عند أ snubber الدائرة ، co m p صاعدة أ 0.2 μ ف مكثف و 20 يا م ق المقاومة في موازى مع ال السترستور تحت الاختبار.

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Average value of on-state current	IT(AV)		3708		A	Sinewave,180o conduction,TS=55oC
RMS value of on-state current	ITRMS		7364		A	TS=25oC
Peak one cpstcle surge (non repetitive) current	ITSM		50000		A	10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC
I square t	I2t		12.5x106		A2s	10.0 msec
Latching current	IL		1000		mA	VD = 12 V; RL= 12 ohms
Holding current	IH		450		mA	VD = 12 V; I = 2.5 A
Peak on-state voltage	VTM		2.1		V	ITM = 4000 A; Duty cpstcle ≤ 0.01% Tj = 125 oC
Critical rate of rise of on-state current (5, 6)	di/dt		250		A/μs	Switching from VDRM ≤ 1000 V, non-repetitive
Critical rate of rise of on-state current (6)	di/dt		100		A/μs	Switching from VDRM ≤ 1000 V

الكهرباء مميزات و تصنيفات R3708FC45 - Po w er ال ص ريستور

بوابة

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Peak gate power dissipation	PGM		200		W	tp = 40 us
Average gate power dissipation	PG(AV)		5		W
Peak gate current	IGM		15		A
Gate current required to trigger all units	IGT	30	300 200 125		mA mA mA	VD = 12V;RL = 6 ohms;Tj = -40 oC VD = 12V;RL = 6 ohms;Tj = +25 oC VD = 12V;RL = 6 ohms;Tj = +125oC
Gate voltage required to trigger all units	VGT	0.30	5 3		V V V	VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = -40 oC VD = 12V;RL = 6 ohms;Tj = 0-125oC VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms; Tj = + 125 oC
Peak negative voltage	VGRM		15		V

D ص namic

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Delay time	td			2.5	μs	ITM = 50 A; VD = 1500 V Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 μs; tp = 20 μs
Turn-off time (with VR = -50 V)	tq			250	μs	ITM =4000 A; di/dt = 60 A/μs; VR =100 V; Re-applied dV/dt = 20 V/μs linear to 67% VDRM; VG = 0; Tj = 125 oC; Tp=2000us
Reverse recovery current	Irr				A	ITM =4000 A; di/dt = 60 A/μs; VR =100 V

حراري و ميكانيكي مميزات و تقييمات

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Operating temperature	Tj	-40	+125		oC
Storage temperature	Tstg	-40	+140		oC
Thermal resistance - junction to sink	RΘ (j-s)		0.0075 0.0150		o C/W	Double sided cooled Single sided cooled
Mounting force	P	98	113		kN
Weight	W			2.7	Kg.