YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD. قوة الثايرستور 4500V,قوة عالية الثايرستور 4500V,ضغط تجميع الثايرستور
Title
  • Title
  • جميع
الخدمة عبر الإنترنت
http://ar.yzpst.comمسح لزيارة

جهاز تجميع الضغط عالي الثايرستور 4500 فولت

حصة ل:  
    سعر الوحدة: USD 310 - 410 / Piece/Pieces
    الدفع نوع: L/C,T/T,Paypal
    Incoterm: FOB,CFR,CIF
    أدني كمية الطلب: 1 Piece/Pieces
    موعد التسليم: 30 أيام

معلومات أساسية

نموذج: YZPST-R3708FC45V

VRRM: 4500V

VDRM: 4500V

VRSM: 4600V

IRRM / IDRM: 200mA

DV/dt: 200 V/μsec

Additional Info

تفاصيل التعبئة والتغليف: 1. تغليف مضاد للكهرباء الإستاتيكية 2. علبة كرتون 3. عبوة بلاستيكية واقية

إنتاجية: 100

علامة تجارية: YZPST

نقل: Ocean,Air

مكان المنشأ: الصين

تفاصيل التجارة القدرة علي التوريد: 1000

الشهادات: ISO9000

رمز النظام المنسق: 85413000

ميناء: SHANGHAI

وصف المنتج

ثايرستور عالي القدرة لتطبيقات التحكم في المرحلة

(يزبست-ر 3708 كف 45 ف)

الميزات:

. جميع الهياكل المنتشرة

. تكوين بوابة التضخيم الخطي

. القدرة على حجب ما يصل إلى 4500 فولت

. أقصى وقت إطفاء مضمون

. قدرة عالية dV / dt

. جهاز تجميع الضغط

المنع - خارج الدولة



Device Type

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

R3708FC45

4500

4500

4600


V RRM = الجهد العكسي للذروة المتكررة


V DRM


= إعادة ص etiti ضد ه ص EAK س وما يليها دولة فو الجمعية اللبنانية لتعزيز ز ه

V RSM = N o n إعادة ص etiti ضد ه ص EAK re v erse vo lta g e ( 2 )

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

200 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

200 Vsec

إجراء - على الدولة


شكل متموج إلى 80٪ مصنف V DRM . بوابة افتح. Tj = 125 س .

(5) غير مكرر القيمة.

(6) ال القيمة من di / dt تم إنشاؤه في بالتوافق مع EIA / NIMA اساسي RS-397 ، الجزء

5-2-2-6. م ح القيمة يعرف سيكون كن في إضافة إلى ذلك تم الحصول عليها من عند أ snubber الدائرة ، co m p صاعدة أ 0.2 μ ف مكثف و 20 يا م ق المقاومة في موازى مع ال السترستور تحت الاختبار.


Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)

 

3708

 

A

Sinewave,180o conduction,TS=55oC

RMS value of on-state current

ITRMS

 

7364

 

A

TS=25oC

Peak one cpstcle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

50000

 

A

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

12.5x106

 

A2s

10.0 msec

Latching current

IL

 

 

1000

 

mA

VD = 12 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

 

450

 

mA

VD = 12 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

 

 

2.1

 

V

ITM = 4000 A; Duty cpstcle 0.01% Tj = 125 oC

Critical rate of rise of on-state current (5, 6)

di/dt

 

 

250

 

A/μs

Switching from VDRM 1000 V, non-repetitive

Critical rate of rise of on-state current (6)

di/dt

 

 

100

 

A/μs

Switching from VDRM 1000 V

الكهرباء مميزات و تصنيفات R3708FC45 - Po w er ال ص ريستور

بوابة

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

200

 

W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

5

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

15

 

A

 

Gate current required to trigger all units

IGT

 

30

300

200

125

 

mA mA mA

VD = 12V;RL = 6 ohms;Tj = -40 oC VD = 12V;RL = 6 ohms;Tj = +25 oC VD = 12V;RL = 6 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

 

0.30

5

3

 

V V V

VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = -40 oC VD = 12V;RL = 6 ohms;Tj = 0-125oC VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms; Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM

 

15

 

V

 

D ص namic

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

 

 

2.5

μs

ITM = 50 A; VD = 1500 V

Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms;

tr = 0.1 μs; tp = 20 μs

Turn-off time (with VR = -50 V)

tq

 

 

250

μs

ITM =4000 A; di/dt = 60 As;

VR =100 V; Re-applied dV/dt = 20

V/μs linear to 67% VDRM; VG = 0; Tj = 125 oC; Tp=2000us

Reverse recovery current

Irr

 

 

 

A

ITM =4000 A; di/dt = 60 As; VR =100 V


حراري و ميكانيكي مميزات و تقييمات

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

 

oC

 

Storage temperature

Tstg

-40

+140

 

oC

 

Thermal resistance - junction to sink

RΘ (j-s)

 

0.0075

0.0150

 

o

C/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Mounting force

P

98

113

 

kN

 

Weight

W

 

 

2.7

Kg.

 

* تصاعد السطوح الصورة م ooth، مسطحة و مدهون

C458pb Thyristor

Sym

A

B

C

E

Inches

3.9 3

5.90

5.15

1.37

mm

100

150

131

35±1.0



صورة المنتج
  • جهاز تجميع الضغط عالي الثايرستور 4500 فولت
  • جهاز تجميع الضغط عالي الثايرستور 4500 فولت
  • جهاز تجميع الضغط عالي الثايرستور 4500 فولت
  • جهاز تجميع الضغط عالي الثايرستور 4500 فولت
البريد الإلكتروني لهذا المورد
  • *الموضوع:
  • إلى:
    John chang
  • *رسائل:
    يجب أن تكون رسالتك بين 20-8000 الأحرف

اشترك في النشرة الإلكترونية:
الحصول على التحديثات، خصومات وعروض خاصة وجوائز كبيرة!

متعدد اللغات:
حق النشر © 2020 YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.حق الطبعة الملكية
التواصل مع مزود؟المزود
John chang Mr. John chang
ماذا يمكنني أن أفعل لك؟
الدردشة الآن الاتصال المورد
苏ICP备05018286号-1