الدفع نوع: | L/C,T/T,Paypal |
---|---|
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
موعد التسليم: | 30 أيام |
نموذج: YZPST-KK2000A2000V
تفاصيل التعبئة والتغليف: 1. التعبئة والتغليف المضادة للكهرباء الساكنة 2. علبة كرتون 3. التعبئة والتغليف البلاستيكية واقية
إنتاجية: 100
علامة تجارية: YZPST
نقل: Ocean,Air
مكان المنشأ: الصين
تفاصيل التجارة القدرة علي التوريد: 1000
الشهادات: ISO9000
رمز النظام المنسق: 85413000
ميناء: SHANGHAI
موفر طاقة عالية للتحكم في السرعة
YZPST-KK2000A2000V
ميزات:
. كل هيكل منتشر
. مركز تكبير سعة البوابة
. مضمون الحد الأقصى لوقت الانطلاق
. قدرة عالية dV / dt
. جهاز تجميع الضغط
ملاحظات:
جميع التقييمات محددة لـ Tj = 25 oC مالم
يذكر خلاف ذلك.
(1) يتم تحديد جميع تصنيفات الجهد لتطبيق
50Hz / 60zHz شكل موجة جيبية على
تتراوح درجة الحرارة من -40 إلى +125 درجة مئوية.
(2) 10 ميللي ثانية. كحد أقصى. عرض النبض
(3) أقصى قيمة لـ Tj = 125 oC.
(4) الحد الأدنى لقيمة الخطية والأسي
waveshape إلى 80 ٪ من تصنيف VDRM. البوابه مفتوحه.
Tj = 125 oC.
(5) قيمة غير متكررة.
(6) يتم تأسيس قيمة دي / ديت وفقا لذلك
مع معيار EIA / NIMA RS-397 ، القسم
5-2-2-6. القيمة المحددة ستكون في addi-
إلى تلك التي تم الحصول عليها من دائرة snubber ،
تتألف من مكثف 0.2 andF و 20 أوم
المقاومة بالتوازي مع الثايردر تحت
اختبار.
الخصائص الكهربائية والتصنيفات
حجب - خارج الدولة
VRRM (1) |
VDRM (1) |
VRSM (1) |
2000 |
2000 |
2100 |
V RRM = تكرار الجهد العكسي للذروة
V DRM = تكرار الذروة لجهد الدولة
V RSM = عدم تكرار جهد الذبذبة المتكررة (2)
Repetitive peak reverse leakage and off state leakage |
IRRM / IDRM
|
15 mA 65 mA (3) |
Critical rate of voltage rise |
dV/dt (4) |
500 V/msec |
إجراء - على الدولة
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Average value of on-state current |
IT(AV)M |
|
2000 |
|
A |
Sinewave,180o conduction,Tc=55oC |
RMS value of on-state current |
ITRMSM |
|
3140 |
|
A |
Nominal value |
Peak one cycle surge (non repetitive) current |
ITSM |
|
-
14.6 |
|
KA
KA |
8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC |
I square t |
I2t |
|
1.06x106 |
|
A2s |
8.3 msec and 10.0 msec |
Latching current |
IL |
|
1000 |
|
mA |
VD = 24 V; RL= 12 ohms |
Holding current |
IH |
|
500 |
|
mA |
VD = 24 V; I =2.5 A |
Peak on-state voltage |
VTM |
|
2.6 |
|
V |
ITM = 4000 A; Duty Cycle £ 0.01%; Tj =25 oC |
Threshold vlotage |
VT0 |
|
- |
|
V |
|
Slope resistance |
rT |
|
- |
|
mΩ |
|
Critical rate of rise of on-state current (5, 6) |
di/dt |
|
800 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V, non-repetitive |
Critical rate of rise of on-state current (6) |
di/dt |
|
400 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V |
الخصائص الكهربائية والتصنيفات
المحاصرة
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Peak gate power dissipation |
PGM |
|
200 |
|
W |
tp = 40 us |
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
|
5 |
|
W |
|
Peak gate current |
IGM |
|
10 |
|
A |
|
Gate current required to trigger all units |
IGT |
|
- 150 - |
|
mA mA mA |
VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC |
Gate voltage required to trigger all units
|
VGT |
|
- 3 -
|
|
V V V |
VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms; Tj = + 125 oC |
Peak negative voltage |
VGRM |
|
5 |
|
V |
|
ديناميكي
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Delay time |
td |
|
1.5 |
0.7 |
ms |
ITM =50 A; VD = Rated VDRM Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms |
Turn-off time (with VR = -50 V) |
tq |
|
35 |
|
ms |
ITM =1000 A; di/dt =25 A/ms; VR ³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0; Tj = 125 oC; Duty cPSTCle ³ 0.01% |
Reverse recovery charge |
Qrr |
|
* |
400 |
mC |
ITM =1000 A; di/dt =25 A/ms; VR ³ -50 V |
* للحصول على الحد الأقصى المضمون القيمة ، اتصل المصنع.
الخصائص الحرارية والميكانيكية والتقييمات
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Operating temperature |
Tj |
-40 |
+125 |
|
oC |
|
Storage temperature |
Tstg |
-40 |
+150 |
|
oC |
|
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-c) |
|
23 45 |
|
oC/KW |
Double sided cooled Single sided cooled |
Thermal resistamce - case to sink |
RQ (c-s) |
|
10 20 |
|
oC/KW |
Double sided cooled * Single sided cooled * |
Mounting force |
P |
24.5 |
26.7 |
|
kN |
|
Weight |
W |
|
|
460 |
g |
About |
* تركيب أسطح ناعمة ، مسطحة ومدهونة
حالة الخطوط والأبعاد
Sym |
A |
B |
C |
D |
H |
mm |
75 |
47 |
66 |
3.5×3 |
26±1 |
اشترك في النشرة الإلكترونية:
الحصول على التحديثات، خصومات وعروض خاصة وجوائز كبيرة!