YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
الصفحة الرئيسية> قائمة المنتجات> أجهزة قرص أشباه الموصلات (نوع الكبسولة)> مراقبة المرحلة الثايرستور> 2100V Interdigitated Amplify phase control Thyristor
2100V Interdigitated Amplify phase control Thyristor
2100V Interdigitated Amplify phase control Thyristor
2100V Interdigitated Amplify phase control Thyristor

2100V Interdigitated Amplify phase control Thyristor

أحصل على آخر سعر
الدفع نوع:L/C,T/T,Paypal
إنكوترم:FOB,CFR,CIF
نقل:Ocean,Air
ميناء:Shanghai
سمات المنتج

نموذجYZPST-R2619ZC21J

علامة تجاريةYZPST

وصف المنتج
موفر طاقة عالية للتحكم في المرحلة

YZPST-R2619ZC21J

ميزات:

. كل هيكل منتشر

. تكوين البوابة البينية المتداخلة

. مضمون الحد الأقصى لوقت الانطلاق

. قدرة عالية dV / dt

. جهاز تجميع الضغط



الخصائص الكهربائية والتصنيفات

حجب - خارج الدولة

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

2100

2100

2200

V RRM = تكرار الجهد العكسي الذروة

V DRM = تكرار الذروة لجهد الدولة

V RSM = عدم تكرار جهد الذبذبة المتكررة (2)


Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

20 mA

200 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

200 V/msec

إجراء - على الدولة

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)M

2619

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

ITRMS

5227

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

33.8

  

37.2

kA

kA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

5.71x106

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

-

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

1000

mA

VD = 24 V; I =2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

2.3

V

ITM = 4000 A

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

1500

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

1000

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

المحاصرة

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

30

W

Average gate power dissipation

PG(AV)

5

W

Peak gate current

IGM

-

A

Gate current required to trigger all units

IGT

300

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

3

V

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Peak negative voltage

VRGM

5

V

ديناميكي

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

-

0.8

ms

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

-

1.5

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

-

50

ms

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us, Vr=100V, Vdr=67%VDRM, dVdr/dt=200V/us

Reverse recovery current

Irm

-

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us

الخصائص الحرارية والميكانيكية والتقييمات

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

 

oC

 

Storage temperature

Tstg

-40

+150

 

oC

 

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

 

-

-

 

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

 

-

-

 

K/kW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistamce - junction to sink

RQ (c-s)

 

11

22

 

K/kW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Mounting force

F

27

47

-

kN

 

Weight

W

 

 

1.7

Kg

about

* تركيب الأسطح ناعمة ومسطحة ومدهونة

ملاحظة: بالنسبة إلى مخطط الحالة والأبعاد ، راجع رسم مخطط الحالة في الصفحة الأخيرة من هذه البيانات الفنية



Fast thyristors 63H20

Sym

A

B

C

D

H

mm

109

73

98

3.5×3

35±1

منتوجات جديدة
苏ICP备05018286号-1
ارسل السؤال
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

إرسال