YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
الصفحة الرئيسية> قائمة المنتجات> أجهزة قرص أشباه الموصلات (نوع الكبسولة)> مراقبة المرحلة الثايرستور> تحكم سريع ثايرستور SCR DCR604
تحكم سريع ثايرستور SCR DCR604
تحكم سريع ثايرستور SCR DCR604
تحكم سريع ثايرستور SCR DCR604

تحكم سريع ثايرستور SCR DCR604

أحصل على آخر سعر
الدفع نوع:L/C,T/T,Paypal
إنكوترم:FOB,CFR,CIF
نقل:Ocean,Air
ميناء:SHANGHAI
سمات المنتج

نموذجYZPST-DCR604

علامة تجاريةYZPST

التعبئة والتغليف والت...
بيع الوحدات : Others
تحميل :
وصف المنتج

التحكم في مرحلة الثايرستور عالية الطاقة

YZPST-DCR604

DCR604SE2121 ثايرستور عالية الطاقة لتطبيقات التحكم في الطور



الميزات: جميع بنية منتشرة . مركز تضخيم بوابة التكوين . منع كابابليتي حتى 2000 فولت . مضمون أقصى وقت لطفلة . قدرة DV/DT عالية . جهاز تجميع الضغط



Thyristor Scr DCR604


Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)

 

600

 

A

Sinewave,180o conduction,Tc =65oC

RMS value of on-state current

ITRMS

 

940

 

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

7500

 

7200

 

A

 

A

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

235000

 

A2s

8.3 msec and 10.0 msec

Latching current

IL

 

800

 

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

400

 

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

 

2.30

 

V

ITM = 2000 A; Duty cPSTCle £ 0.01%

 

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

 

400

 

A/ms

Switching from VDRM£ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

 

150

 

A/ms

Switching from VDRM£ 1000 V


الخصائص والتصنيفات الكهربائية (تابع)

البوابات


Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

200

 

W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

5

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

10

 

A

 

Gate current required to trigger all units

IGT

 

300

150

125

 

mA

mA

mA

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units

 

 

VGT

 

 

0.15

5

3

 

 

V

V

V

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC

VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM

 

5

 

V

 


متحرك

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

 

1.5

0.7

ms

ITM = 50 A; VD = Rated VDRM

Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms

Turn-off time (with VR = -50 V)

tq

 

200

 

125

ms

ITM = 500 A; di/dt = 25 A/ms;

VR³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0;

Tj = 125 oC; Duty cPSTCle ³ 0.01%

Reverse recovery charge

Qrr

 

*

 

mC

ITM = 500 A; di/dt = 25 A/ms;

VR³ -50 V

* لضمان كحد أقصى. القيمة ، الاتصال مصنع.


الخصائص والتقييمات الحرارية والميكانيكية

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

 

oC

 

Storage temperature

Tstg

-40

+150

 

oC

 

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

 

0.045

(1)

0.055

(2)

 

oC/W

Double sided cooled *

(1) @ 2000 lb.; (2) @ 800 lb.

Thermal resistamce - junction to

case

RQ (j-c)

0.090

(1)

0.110

(2)

 

oC/W

Single sided cooled *

(1) @ 2000 lb.; (2) @ 800 lb.

Thermal resistance - case to sink

RQ (c-s)

 

.030

.060

 

oC/W

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Mounting force

P

3.6

11.1

 

kN

 

Weight

W

 

 

70

g

 


الخطوط العريضة

Fast Control Thyristor Scr DCR604

fast control thyristor scr DCR604
منتوجات جديدة
苏ICP备05018286号-1
ارسل السؤال
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

إرسال