YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD. الجهد العالي الثايرستور,الثايرستور 1000A 6500V,

السيطرة على الجهد العالي الثايرستور SCR kp1000A 6500V

حصة ل:  
    الدفع نوع: L/C,T/T,Paypal
    Incoterm: FOB,CFR,CIF
    موعد التسليم: 30 أيام
تحميل: YZPST-KP1000A6500V

معلومات أساسية

نموذج: YZPST-KP1000A6500V

Additional Info

إنتاجية: 100

علامة تجارية: YZPST

نقل: Ocean,Air

مكان المنشأ: الصين

تفاصيل التجارة القدرة علي التوريد: 1000

الشهادات: ISO9001-2008,ROHS

رمز النظام المنسق: 85413000

ميناء: Shanghai

وصف المنتج

المرحلة السيطرة الثايرستور

YZPST-KP1000A6500V

التحكم في الطور Thyristors 6600V اختصار لمقوّي الثايرستور. وهو نوع من أجهزة أشباه الموصلات عالية الطاقة مع أربع طبقات من ثلاثة تقاطع PN ، وتسمى أيضا الثايرستور. مع خصائص الحجم الصغير ، والبنية البسيطة والوظيفة القوية ، وهي واحدة من أكثر أجهزة أشباه الموصلات شيوعا.

Symbol

Definition

Conditions

 

min.

typ.

max.

Unit

V

max. non-repetitive reverse/forward blocking voltage

TJ = 25°C

 

 

6600

V

V

max. repetitive reverse/forward blocking voltage

TJ = 25°C

 

 

6500

V

VT

On-state voltage

IT=1000 A

TJ = 25°C

 

 

2.95

V

IT(AV)

average forward current

TC=25°C

 

 

 

1000

A

IT(RMS)

RMS forward current

180° sine

 

 

 

1140

A

RthJC

thermal resistance junction to case

 

 

 

 

22

K/KW

RthCH

thermal resistance case to heatsink

 

 

 

 

4

K/KW

ITSM

max. forward surge current

t = 10 ms; (50 Hz), sine

TJ = 25°C

 

 

9.7

kA

I²t

value for fusing

t = 10 ms; (50 Hz), sine

TJ = 25°C

 

 

470

kA²s

di/dt

Rate of rise of on-state current

TJ = 125°C; f = 50 Hz

tP=200µs;diG/dt=0.15A/µs;

IG=0.15A;VD= 2/3VDRM

repetitive

 

 

50

A/µs

non-repet

 

 

1000

A/µs

dv/dt

Maximum linear rate of rise of off-state voltage

VD= 2/3
V
DRM

RGK =∞; method 1 (linear voltage rise)

TJ = 125°C

 

 

2000

V/µs

VGT

gate trigger voltage

VD = 6V

TJ = 25°C

 

 

2.6

V

IGT

gate trigger current

VD = 6V

TJ = 25°C

 

 

400

mA

IL

latching current

 

TJ = 25°C

 

 

500

mA

IH

holding current

 

TJ = 25°C

 

 

900

mA

tgd

gate controlled delay time

 

TJ = 25°C

 

 

3

µs

tq

Turn-off time

VR=10 V; IT=20A; VD= 2/3
V
DRM

TJ = 150°C

 

 

600

µs

Tstg

storage temperature

 

 

-40

 

140

°C

TJ

virtual junction temperature

 

 

 

 

125

°C

Wt

Weight

 

 

 

 

 

g

F

mounting force

 

 

14

22

24

kN



مخطط تفصيلي

High Voltage Thyristor Control SCR kp1000A 6500V

صورة المنتج
  • السيطرة على الجهد العالي الثايرستور SCR kp1000A 6500V
البريد الإلكتروني لهذا المورد
  • *الموضوع:
  • إلى:
    John chang
  • *رسائل:
    يجب أن تكون رسالتك بين 20-8000 الأحرف

اشترك في النشرة الإلكترونية:
الحصول على التحديثات، خصومات وعروض خاصة وجوائز كبيرة!

متعدد اللغات:
حق النشر © 2019 YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.حق الطبعة الملكية
التواصل مع مزود؟المزود
John chang Mr. John chang
ماذا يمكنني أن أفعل لك؟
الدردشة الآن الاتصال المورد
苏ICP备05018286号-1