YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD. تسليم سريع Siemens Thyristor,كل منتشر الثايرستور,الثايرستور عالية DV / DT

تسليم سريع شركة سيمنز جميع منتشرة الثايرستور عالية DV / DT

حصة ل:  

معلومات أساسية

نموذج: YZPST-N1042LS18

Additional Info

إنتاجية: 100

علامة تجارية: YZPST

نقل: Ocean,Air

مكان المنشأ: الصين

تفاصيل التجارة القدرة علي التوريد: 1000

الشهادات: ISO9001-2008,ROHS

رمز النظام المنسق: 85413000

ميناء: Shanghai

وصف المنتج

تسليم سريع Siemens Thyristor
YZPST-N1042LS18


ميزات: تكوين البوابة البينية المتداخلة . قدرة عالية dV / dt . جهاز تجميع الضغط. كل هيكل منتشر. مضمون الحد الأقصى لوقت الانطلاق .



Fast Delivery Siemens Thyristor YZPST-N1042LS18



إجراء - على الدولة

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Max. average value of on-state current

IT(AV)M

1042

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

IT(RMS)M

2072

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

-

  

11.52

kA

kA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

661x103

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

-

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

-

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

1.75

V

ITM = 1700 A

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

1000

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

500

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V



المحاصرة

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

30

W

Average gate power dissipation

PG(AV)

4

W

Peak gate current

IGM

-

A

Gate current required to trigger all units

IGT

300

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

3.0

V

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Peak negative voltage

VRGM

5

V

ديناميكي

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

-

-

ms

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

-

-

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

-

-

-

ms

ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=60A/us, Vr=50V, Vdr=80%VDRM, dVdr/dt=20V/us

Reverse recovery current

Irm

-

-

-

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us

الخصائص الحرارية والميكانيكية والتقييمات

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+150

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

-

-

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

-

-

K/kW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-s)

32

64

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Mounting force

F

10

20

-

kN

Weight

W

-

Kg

about

* تركيب الأسطح ناعمة ومسطحة ومدهونة

ﻣﻼﺣﻈﺔ: ﻟﻤﺨﻄﻂ اﻟﺤﺠﻢ واﻷﺑﻌﺎد ، اﻧﻈﺮ رﺳﻢ ﻣﺨﻄﻂ اﻟﺤﺎﻟﺔ ﻓﻲ ﺻﻔﺤﺔ 3 ﻣﻦ هﺬﻩ اﻟﺒﻴﺎﻧﺎت اﻟﻔﻨﻴﺔ



صور مفصلة
Fast Delivery Siemens Thyristor YZPST-N1042LS18

صورة المنتج
  • تسليم سريع شركة سيمنز جميع منتشرة الثايرستور عالية DV / DT
  • تسليم سريع شركة سيمنز جميع منتشرة الثايرستور عالية DV / DT
  • تسليم سريع شركة سيمنز جميع منتشرة الثايرستور عالية DV / DT
  • تسليم سريع شركة سيمنز جميع منتشرة الثايرستور عالية DV / DT
  • تسليم سريع شركة سيمنز جميع منتشرة الثايرستور عالية DV / DT
البريد الإلكتروني لهذا المورد
  • *الموضوع:
  • إلى:
    John chang
  • *رسائل:
    يجب أن تكون رسالتك بين 20-8000 الأحرف

اشترك في النشرة الإلكترونية:
الحصول على التحديثات، خصومات وعروض خاصة وجوائز كبيرة!

متعدد اللغات:
حق النشر © 2019 YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.حق الطبعة الملكية
التواصل مع مزود؟المزود
John chang Mr. John chang
ماذا يمكنني أن أفعل لك؟
الدردشة الآن الاتصال المورد
苏ICP备05018286号-1