YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
الصفحة الرئيسية> قائمة المنتجات> أجهزة قرص أشباه الموصلات (نوع الكبسولة)> مراقبة المرحلة الثايرستور> تطبيقات الثايرستور الحالية عالية
تطبيقات الثايرستور الحالية عالية
تطبيقات الثايرستور الحالية عالية
تطبيقات الثايرستور الحالية عالية

تطبيقات الثايرستور الحالية عالية

أحصل على آخر سعر
الدفع نوع:L/C,T/T,Paypal
إنكوترم:FOB,CFR,CIF
نقل:Ocean,Air
ميناء:SHANGHAI
سمات المنتج

نموذجYZPST-N330CH26

علامة تجاريةYZPST

وصف المنتج


تطبيقات الثايرستور الحالية عالية

YZPST-N330CH26

السلطة العليا الثايرستور 3000V OF الميزات:. تكوين البوابة البينية المتداخلة . قدرة عالية dV / dt

. مضمون الحد الأقصى لوقت الانطلاق . جهاز تجميع الضغط

موفر الطاقة العالي لتطبيقات مراقبة المرحلة

الخصائص الكهربائية والتصنيفات


حجب - خارج الدولة


VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

3000

3000

3100

V RRM = تكرار الجهد العكسي الذروة

V DRM = تكرار الذروة لجهد الدولة

V RSM = عدم تكرار جهد الذبذبة المتكررة (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

20 mA

100 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/msec

ملاحظات:

يتم تحديد جميع التقييمات لـ Tj = 25 oC ما لم ينص على خلاف ذلك.

(1) يتم تحديد جميع تصنيفات الجهد لموجة موجة جيبية 50 هرتز / 60 هرتز مطبق على نطاق درجة الحرارة -40 إلى +125 درجة مئوية.

(2) 10 ميللي ثانية. كحد أقصى. عرض النبض

(3) أقصى قيمة لـ Tj = 125 oC.

(4) الحد الأدنى لقيمة الموجات الخطية والأسية إلى 80٪ من تقييم VDRM. البوابه مفتوحه. Tj = 125 oC.

(5) قيمة غير متكررة.

(6) يتم تحديد قيمة di / dt وفقًا لمعيار EIA / NIMA RS-397 ، القسم 5-2-2-6. ستكون القيمة المحددة بالإضافة إلى تلك التي تم الحصول عليها من دارة ubber ، التي تشتمل على مكثف 0.2 andF و 20 أومريتوري في موازاة الثايرستور الخاضع للاختبار.


إجراء - على الدولة

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)

1132

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

ITRMS

2228

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

-

  

14.3

kA

kA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

1.02x106

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

-

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

1000

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

2.08

V

ITM = 1830 A

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

400

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

200

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

المحاصرة

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

30

W

Average gate power dissipation

PG(AV)

4

W

Peak gate current

IGM

-

A

Gate current required to trigger all units

IGT

300

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

3.0

V

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Peak negative voltage

VRGM

5

V

ديناميكي

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

1.0

-

ms

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

2.0

-

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

-

-

400

ms

ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=10A/us, Vr=50V, Vdr=80%VDRM, dVdr/dt=20V/us

Reverse recovery current

Irm

-

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us

الخصائص الحرارية والميكانيكية والتقييمات

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+150

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

-

-

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

-

-

K/kW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-s)

24

48

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Mounting force

F

19

26

-

kN

Weight

W

-

Kg

about

* تركيب الأسطح ناعمة ومسطحة ومدهونة

ﻣﻼﺣﻈﺔ: ﻟﻤﺨﻄﻂ اﻟﺤﺠﻢ واﻷﺑﻌﺎد ، اﻧﻈﺮ رﺳﻢ ﻣﺨﻄﻂ اﻟﺤﺎﻟﺔ ﻓﻲ ﺻﻔﺤﺔ 3 ﻣﻦ هﺬﻩ اﻟﺒﻴﺎﻧﺎت اﻟﻔﻨﻴﺔ



صور مفصلة


High current thyristor applications manufactures YZPST-N330CH26

منتوجات جديدة
苏ICP备05018286号-1
ارسل السؤال
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

إرسال