YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD. الثايرستور C458PB,العاكس ThyristorC458,ارتفاع السلطة الثايرستور C458PB
Title
  • Title
  • جميع
فئة المنتج
الخدمة عبر الإنترنت
http://ar.yzpst.comمسح لزيارة

عالية الطاقة العاكس الثايرستور C458PB

حصة ل:  
    الدفع نوع: L/C,T/T,Paypal
    Incoterm: FOB,CFR,CIF
    موعد التسليم: 30 أيام

معلومات أساسية

نموذجYZPST-C458PB

علامة تجاريةYZPST

Additional Info

تفاصيل التعبئة والتغليف1. تغليف مضاد للكهرباء الساكنة 2. علبة كرتون 3. عبوة بلاستيكية واقية

إنتاجية100

نقلOcean,Air

مكان المنشأالصين

تفاصيل التجارة القدرة علي التوريد1000

الشهاداتISO9000

رمز النظام المنسق85413000

ميناءSHANGHAI

الدفع نوعL/C,T/T,Paypal

IncotermFOB,CFR,CIF

موعد التسليم30 أيام

وصف المنتج

السلطة العليا الثايرستور

YZPST-DCR1020SF65-1

تطبيق الثايرستور dc تحكم الثايرستور. جهاز تجميع الضغط. يتم تحديد كل تقييمات Tj = 25 درجة مئوية ما لم ينص على خلاف ذلك.

(1) يتم تحديد جميع تصنيفات الجهد لشكل موجة جيبية 50Hz / 60zHz مطبق على مدى درجة الحرارة من 40 إلى +125 درجة مئوية.

(2) 10 مللي ثانية. كحد أقصى. عرض النبض

(3) الحد الأقصى لقيمة Tj = 125 درجة مئوية.

(4) قيمة الحد الأدنى للموجة الخطية والأسية إلى 80 ٪ VDRM تصنيفها. البوابه مفتوحه. TJ = 125 درجة مئوية.

(5) قيمة غير متكررة.

(6) يتم تحديد قيمة di / dt وفقًا لمعيار EIA / NIMA RS-397 ، القسم 5-2-2-6. ستكون القيمة المحددة في addi-

نشوئها لتلك التي تم الحصول عليها من دائرة snubber ، التي تضم مكثف 0.2 F ومقاومة 20 أوم بالتوازي مع thristor قيد الاختبار.

الميزات:. كل هيكل منتشر . مركز تكوين بوابة التضخيم . حظر كابيليتي يصل إلى 4200 فولت

. أقصى وقت مضمون لإيقاف التشغيل . قدرة عالية dV / dt . جهاز تجميع الضغط

 High Power Thyristor

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

 

IT(AV)

 

 

640

 

 

A

Sinewave,180o

conduction,T =60oC

c

RMS value of on-state current

ITRMS

 

1005

 

A

Nominal value

 

 

 

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

 

 

 

 

ITSM

 

 

-

 

8.5

 

 

KA KA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180o  conduction, T = 125

j

oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o  conduction, T = 125

j

oC

I square t

I2t

 

0.36x106

 

A2s

8.3 msec and 10.0 msec

Latching current

IL

 

600

 

mA

VD  = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

200

 

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

 

Peak on-state voltage

 

VTM

 

 

3.6

 

 

V

ITM  = 1800 A; Duty cPSTCle

0.01%; T = 25 oC

j

Critical rate of rise of on-state current (5, 6)

 

di/dt

 

 

-

 

 

A/  s

Switching from VDRM     1000 V, non-repetitive

Critical rate of rise of on-state current (6)

 

di/dt

 

 

100

 

 

A/  s

 

Switching from VDRM     1000 V

E L E CTR I C A L CH A R A C T E R IS T I C S A N D R A T I N G S

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

150

 

W

tp = 40 us

 

Average gate power dissipation

 

PG(AV)

 

 

5

 

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

-

 

A

 

 

Gate current required to trigger all units

 

IGT

 

-

300

-

 

mA mA mA

V   = 6 V;R  = 3 ohms;T  = -40 oC

D                        L                                    j

V   = 6 V;R  = 3 ohms;T  = +25 oC

D                        L                                    j

V   = 6 V;R  = 3 ohms;T  = +125oC

D                        L                                    j

Gate voltage required to trigger all units

 

 

V

 

-

3.0

-

 

 

V V V

V   = 6 V;R  = 3 ohms;T  = -40 oC

D                        L                                    j

V   = 6 V;R  = 3 ohms;T  = 0-125oC

D                        L                                    j

VD  = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

T = + 125 oC

j

 

Peak negative voltage

 

VGRM

 

 

5

 

 

V

 


G a t i n g

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

150

 

W

tp = 40 us

 

Average gate power dissipation

 

PG(AV)

 

 

5

 

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

-

 

A

 

 

Gate current required to trigger all units

 

IGT

 

-

300

-

 

mA mA mA

V   = 6 V;R  = 3 ohms;T  = -40 oC

D                        L                                    j

V   = 6 V;R  = 3 ohms;T  = +25 oC

D                        L                                    j

V   = 6 V;R  = 3 ohms;T  = +125oC

D                        L                                    j

Gate voltage required to trigger all units

 

 

V

 

-

3.0

-

 

 

V V V

V   = 6 V;R  = 3 ohms;T  = -40 oC

D                        L                                    j

V   = 6 V;R  = 3 ohms;T  = 0-125oC

D                        L                                    j

VD  = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

T = + 125 oC

j

 

Peak negative voltage

 

VGRM

 

 

5

 

 

V

 

D y n a m i c

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

 

Delay time

 

td

 

 

-

 

0.5

 

s

ITM  = 50 A; VD = Rated VDRM Gate pulse: VG = 20 V; RG  = 20 ohms; tr = 0.1   s; tp = 20   s

 

Turn-off time (with VR  = -50 V)

 

tq

 

 

-

 

600

 

s

ITM  = 1000 A; di/dt = 25 A/  s;

VR        -50 V; Re-applied dV/dt = 20

V/  s linear to 80% VDRM; VG = 0;

T = 125 oC; Duty cPSTCle

j

0.01%

 

Reverse recovery charge

 

Qrr

 

 

*

 

 

C

ITM  = 1000 A; di/dt = 25 A/  s; VR        -50 V

* F س ص gu a r a n t eed م أ س . v a lu e ، ج على ر ج ج f a c t o r y .

T H E R M A L A N D ME CH A N I C A L CH A R A C T E R IS T I C S A N D R A T I N G S

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

 

oC

 

 

Storage temperature

 

Tstg

 

-40

 

+125

 

 

oC

 

 

Thermal resistance - junction to case

 

R  (j-c)

 

0.022

0.052

 

o

C/W

Double sided cooled

Single sided cooled

 

Thermal resistamce - case to sink

 

R  (c-s)

 

0.004

0.008

 

o

C/W

Double sided cooled * Single sided cooled *

 

Thermal resistamce - junction to sink

 

R  (j-s)

 

-

-

 

o

C/W

Double sided cooled * Single sided cooled *

Mounting force

P

18

22

 

kN

 

Weight

W

 

 

-

g

 

* M ou n t i ng الصورة اور و وفاق ج ق م س س ر ح، f l a t و g r e a s ed

وضع الخطوط العريضة والأبعاد

 High Power Thyristor

صورة المنتج
  • عالية الطاقة العاكس الثايرستور C458PB
البريد الإلكتروني لهذا المورد
  • *الموضوع:
  • إلى:
    John chang
  • *رسائل:
    يجب أن تكون رسالتك بين 20-8000 الأحرف

اشترك في النشرة الإلكترونية:
الحصول على التحديثات، خصومات وعروض خاصة وجوائز كبيرة!

متعدد اللغات:
حق النشر © 2021 YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.حق الطبعة الملكية
التواصل مع مزود؟المزود
John chang Mr. John chang
ماذا يمكنني أن أفعل لك؟
الدردشة الآن الاتصال المورد
苏ICP备05018286号-1