YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
الصفحة الرئيسية> قائمة المنتجات> حزمة البلاستيك أشباه الموصلات> اتجاهات BI Thyristor (Triac)> قدرة تصاعد عالية 330A ثلاثي الاتجاه scr
قدرة تصاعد عالية 330A ثلاثي الاتجاه scr
قدرة تصاعد عالية 330A ثلاثي الاتجاه scr
قدرة تصاعد عالية 330A ثلاثي الاتجاه scr
قدرة تصاعد عالية 330A ثلاثي الاتجاه scr
قدرة تصاعد عالية 330A ثلاثي الاتجاه scr

قدرة تصاعد عالية 330A ثلاثي الاتجاه scr

$5.92-999 Piece/Pieces

$4.5≥1000Piece/Pieces

الدفع نوع:L/C,T/T,Paypal
إنكوترم:FOB,CFR,CIF
أدني كمية الطلب:1000 Piece/Pieces
نقل:Ocean,Air
ميناء:Shanghai
سمات المنتج

نموذجYZPST-SG50AA80-1

علامة تجاريةYZPST

التعبئة والتغليف والت...
بيع الوحدات : Piece/Pieces
نوع الحزمة : 1. تغليف مضاد للكهرباء الإستاتيكية 2. علبة كرتون 3. عبوة بلاستيكية واقية
وصف المنتج

ترياك YZPST-SG50AA80

SG50AA80 ثلاثي الاتجاه scr scrac 800V

ثلاثي (نوع معزول)

SG50AA عبارة عن ترياس مقولب معزول مناسب لمجموعة واسعة من التطبيقات مثل آلة النسخ ، فرن الميكروويف ، مفتاح الحالة الصلبة ، التحكم في المحرك ، التحكم في الإضاءة والتحكم في السخان.

● تكنولوجيا المعلومات (AV) 50A

● قدرة تصاعد عالية 330A

● محطات التبويب

Triac SG50AA (2)Triac SG50AA (1)


 

Symbol

Item

 

 

 

Unit

SG50AA80

SG50AA120

SG50AA160

VDRM

Repetitive Peak Off-State Voltage

800

1200

1600

V

Symbol

Item

Conditions

Ratings

Unit

IT(RMS)

R.M.S. On-State Current

Tc=58

50

A

ITSM

Surge On-State Current

One cycle, 50Hz/60Hz, peak, non-repetitive

450

A

I2t

I2t

Value for one cycle of surge current

730

A2S

 

PGM

 

Peak Gate Power Dissipation

 

 

10

 

W

PG(AV)

Average Gate Power Dissipation

 

1

W

IGM

Peak Gate Current

 

3

A

VGM

Peak Gate Voltage

 

10

V

di/dt

Critical Rate of Rise of On-State Current

IG=100mA,Tj=25,VD=1/2VDRM,

100

A/μs

Tj

Operating Junction Temperature

 

-25 to +125

Tstg

Storage Temperature

 

-40 to +125

 

Mounting Torque(M4)

Recommended Value 1.0-1.4(10-14)

1.5(15)

N.m

 

Mass

Typical value

2

g

والكهربائية ل C ح آرا ج ر ه ristics

 

Symbol

 

Item

 

Conditions

 

Ratings

 

Unit

IDRM

Reptitive  Peak  Off-State  Current,

 

max

 

VD=VDRM, Single phase, half wave, Tj=125

5

mA

VTM

Peak On-State Voltage, max

On-State Current [ 2 × IT ( RMS )], Inst.

 

measurement

1.4

V

I + GT1

1

 

Gate Trigger Current, max

Tj=25,IT=1A,VD=6V

80

 

mA

I -GT1

2

Tj=25,IT=1A,VD=6V

80

I + GT3

3

 

-

I -GT3

4

Tj=25,IT=1A,VD=6V

80

V+ GT1

1

 

Gate Trigger Voltage, max

Tj=25,IT=1A,VD=6V

3

 

V

V-GT1

2

Tj=25,IT=1A,VD=6V

3

V+ GT3

3

 

-

V-GT3

4

Tj=25,IT=1A,VD=6V

3

VGD

Non-Trigger Gate Voltage, min

Tj=125,VD=1/2VDRM

0.2

V

tgt

Turn On Time, max.

IT(RMS),IG=100mA,VD=1/2VDRM,Tj

=25,dIG/dt=1A/μs

10

V

dv/dt

Critical   Rate   of   Rise   on-State

 

Voltage,min.

 

Tj=125,VD=2/3VDRM,Exoponential wave.

300

 

V/μs

 

dv/dt]c

Critical   Rate   of   Rise   off-State

 

Voltage at commutation, min

 

Tj=125,VD=2/3VDRM,[di/dt]c=15A/ms

200

 

V/μs

IH

Holding Current, typ.

Tj=25

30

mA

Rth(j-c)

Thermal Impedance, max

Junction to case

1.5

/W


منتوجات جديدة
苏ICP备05018286号-1
ارسل السؤال
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

إرسال